2．管脚说明：
VCC：供电电压。
GND：接地。
P0口：P0口为一个8位漏级开路双向I/O口，每脚可吸收8TTL门电流。当P1口的管脚第一次写1时，被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时，P0 口作为原码输入口，当FIASH进行校验时，P0输出原码，此时P0外部必须被拉高。
P1口：P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后，被内部上拉为高，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时，P1口作为第八位地址接收。
P2口：P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2口缓冲器可接收，输出4个TTL门电流，当P2口被写“1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输入时，P2口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。
P3口：P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口，可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，由于外部下拉为低电平，P3口将输出电流（ILL）这是由于上拉的缘故。
P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口，如下表所示：
各管脚 备选功能
P3.0 RXD（串行输入口）
P3.1 TXD（串行输出口）
P3.2 /INT0（外部中断0）
P3.3 /INT1（外部中断1）
P3.4 T0（记时器0外部输入）
P3.5 T1（记时器1外部输入）
P3.6 /WR（外部数据存储器写选通）
P3.7 /RD（外部数据存储器读选通）
P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。
RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。
ALE/PROG：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。在FLASH编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时， ALE只有在执行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。另外该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态ALE禁止，置位无效。
/PSEN：外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取指期间，每个机器周期两次/PSEN有效。但在访问外部数据存储器时，这两次有效的/PSEN信号将不出现。
/EA/VPP：允许访问片外存储器/编程电源线，可以控制AT89C51使用片内ROM还是使用片外ROM。若EA=1则允许使用片内ROM；若EA=0则允许使用片外ROM，对于AT80C51，EA/VP用于在片内EPROM编程/校验是输入21V编程电源。
XTAL1：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。
XTAL2：来自反向振荡器的输出。
3．振荡器特性：
XTAL1和XTAL2分别为反向放大器的输入和输出。该反向放大器可以配置为片内振荡器。石晶振荡和陶瓷振荡均可采用。如采用外部时钟源驱动器件，XTAL2应不接。有余输入至内部时钟信号要通过一个二分频触发器，因此对外部时钟信号的脉宽无任何要求，但必须保证脉冲的高低电平要求的宽度。
4．芯片擦除：
整个PEROM阵列和三个锁定位的电擦除可通过正确的控制信号组合，并保持ALE管脚处于低电平10ms 来完成。在芯片擦操作中，代码阵列全被写“1”且在任何非空存储字节被重复编程以前，该操作必须被执行。
此外，AT89C51设有稳态逻辑，可以在低到零频率的条件下静态逻辑，支持两种软件可选的掉电模式。在闲置模式下，CPU停止工作。但RAM，定时器，计数器，串口和中断系统仍在工作。在掉电模式下，保存RAM的内容并且冻结振荡器，禁止所用其他芯片功能，禁止所用其他芯片功能，直到下一个硬件复位为止。
5．单片机的汇编指令表（如下图 2.1-2.2）
图2.1
图2.2
第三章 电路原理图及电路介绍
1、硬件电路
图（一）所示是设计的一种密码锁电路。该密码锁主要是按照以下１０条用户要求进
设计的：
（１）共８位密码，每位的取值范围为１～８
（２）用户可以自行设定和修改密码。
（３）按每个密码键时都有声、光提示。
（４）若键入的８位开锁密码不完全正确，则报警５秒钟，以提醒他人注意。
（５）开锁密码错３次要报警１０分钟，报警期间输入密码无效，以防窃贼多次试探密码。
（６）键入的８位开锁密码完全正确才能开锁，开锁时要有１秒的提示音。
（７）电磁锁的电磁线圈必须用脉冲驱动，每次通电时间不多于２秒，以防烧坏。
（８）密码键盘上只允许有８个密码按键和１个发光管。锁内有备用电池，只有内部上电复位时才能设置或修改密码，因此，仅在门外按键是不能修改或设置密码的。
（９）密码设定完毕后要有２秒的提示音。
（１０）成本要比较低，硬件和软件都要尽可能简洁可靠，易于批量生产。
根据总体要求分析，该密码锁电路所需要的ｉ／ｏ口线少于１５个，若设计得当，程序不会超过２００条指令，所以可选择质优价廉的ａｔ８９ｃ１０５１／２０５１或者ｇｍｓ１０５１／２０５１，而且不需要外接程序存储器和数据存储器及其它扩展部件。
在图（一）所示电路中，ｐ１口连接８个密码按键ａｎ１～ａｎ８，开锁脉冲由ｐ３．５输出，报警和提示音由ｐ３．７输出。ｂｌ是用于报警与声音提示的喇叭，发光管ｄ１用于报警和提示，ｌ是电磁锁的电磁线圈。
2、软件设计
图２给出了该单片机密码锁电路的软件流程图。图中ａａ１～ａａ８以及ｓｔａｒｔ、ｓｅｔ、ｓａｖｅ是程序中的标号，是为了理解程序而专门标在流程图的对应位置的。
2.1 存储单元的分配
该密码锁中ram存储单元的分配方案如下：
31h~38h：依次存放8位设定的密码，首位密码存放在31h单元；
r0：指向密码地址；
r2：已经键入密码的位数；
r3：存放允许的错码次数３与实际错码次数的差值；
r4至r7：延时用；
00h：错码标志位。对于ROM元的分配,由于程序比较短,而且占用的存储空间比较少,因此,特