单片机SPWM脉冲宽度调制技术逆变电源设计+电路图+源程序 第4页
2.2驱动电路的设计
在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动。采用隔离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。隔离驱动可为电磁隔离和光电隔离两种方式。
光电隔离具有体积小、结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。快速光耦的速度仅几十KHz。原文请找腾讯752018766,优-文^论,文.网
http://www.youerw.com电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快（脉冲的前沿和后沿），原副边的绝缘强度高，dv/dt共模干扰抑制能力强。但信号的最大传输宽度受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大占空比被限制在50%。而且信号的最小宽度又受磁化电流所限。脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。
凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源。若是三相桥式变换器，则需要优组。而且还要互相悬浮，增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟，已有多种集成厚膜驱动器推出。如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、M57962L/AL、HR065等等。它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。
美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。
IR2110内部结构和特点
IR2110采用HVIC和抗干扰CMOS工艺，DIP14脚封装，具有独立的低端和高端输入通道：悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt= ,15V下静态功耗仅116mw：输出的电源端电压范围10—20V，逻辑电源电压范围5—15V，可方便地与TTL、CMOSd电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有 的偏移量，工作频率高，已达500KHz，开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。图腾柱输出峰值电流为2A
图2-4 IR2110驱动电路连接图
2.3温度监控电路的设计
图2-5 I2C总线外围扩展方式
图2-6 单总线构成的分布式温度检测系统
2.3.1 I2C总线特点
I2C总线由数据线SDA和时钟线SCL构成。SDA/SCL总线上挂接单片机、外围器件和外设接口。所有挂接在I2C总线上的器件和接口电路都应具有I2C总线上的器件和接口电路都应具有I2C总线接口，而且所有的SDA/SCL同名端相连。
I2C 总线接口电路均为漏极开路，故总线必须有上拉电阻RP。
所有挂接到总线上的器件及接口都通过总线寻址，故I2C总线具有最简单的电路扩展方式。
I2C总线的驱动能力为400pF，通过驱动扩展可达4000pF，原规范中传输速率为100kb/s，新规范的传输速率可达400kb/s。
2.3.2 单总线特点
单总线系统是美国DALLAS半导体公司独创的单片机外设总线，仅需一根信号线即可在单片机和外设芯片之间实现芯片寻址和数据交换。它采用单根信号线，既可传输时钟，又能传输数据，而且数据传输是双向的。因而，这种单总线技术具有线路简单，硬件开销少，成本低廉，便于总线扩展和文护等优点。
单总线使用于单主机系统，能够控制一个或多个从机设备。主机可以是微控制器，丛集可以是单总线器件，它们之间的数据交换只通过一条信号线。当只有一个从机设备时，系统可按单节点系统操作；当有多个从设备时，系统则按多节点系统操作。在单总线系统中，所有器件都通过一个三态门或开漏极连接在单总线上，所以，该控制线需要一个弱上拉电阻。单总线系统中的每个器件都有一个唯一的64位ID代码，微处理器通过每个器件的ID代码来识别和访问器件，因此，在同一总线上能识别的器件数量几乎是无限制的。在单总线系统中，通常用单片机作为主器件，外设作为从器件。从器件可以是一个或多个，用一个主器件可以控制和访问多个从器件，如图所示。
DS18B20是DALLAS公司的产品，DALLAS公司为单总线的寻址及数据传送提供了严格的时序规范，所以DS18B20与单片机的通信使用的是单总线方式。2.3.3 DS18B20与单片机接线图
DS18B20 GND VDD
DQ 接单片机I/O口
图2-7 DS18B20接线图
2.3.4 单总线命令编程
由于DS18B20的初始化和读/写均要求有极严格的时序，因此在编程时首先要有精确的延时程序，这里的15 延时程序是按12MHz的晶振计算的。DS18B20数据引脚接在单片机的P1.0
引脚。
1. 延时和初始化子程序
延时和初始化子程序如下：
；延时
DELAY:
MOV R6,#06H
原文请找腾讯752018766,优-文^论,文.网http://www.youerw.com CLR P1.0
MOV R7,#20H
LCALL DELAY
SETB P1.0
MOV R7,#4
LCALL DELAY
CLR F0
JB P1.0,RET1
SETB F0
MOV R7,#28
LCALL DELAY
RET1:
RET
2. 读字节子程序
写入两字节到70H和71H两个存储单元的子程序如下。
RD1820:
CLR C
MOV R1,#02H
MOV R0,#70H
RD1:MOV R2,#08H
RD2:SETB P1.0
NOP
NOP
CLR P1.0
NOP
NOP
SETB P1.0
MOV R7,#01H
LCALL DELAY
MOV C,P1.0
RRC A
DJNZ R2,RD2
MOV @R0,A
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