高增益矢量乘法器设计 第3页

高增益矢量乘法器设计 第3页
三、芯片引脚配置／方框图
器件 适合温度范围 引脚封装
MAX2045ETJ-T * -40°C to +85°C 32 Thin QFN-EP*
MAX2046ETJ-T -40°C to +85°C 32 Thin QFN-EP*
MAX2047ETJ-T -40°C to +85°C 32 Thin QFN-EP*
 *EP = Exposed paddle.
四、电路的电气特性
4.1直流电压特性:
（典型工作电路如下图所示；VCC = 4.75V to 5.25V, TA = -40°C to +85°C, RBIAS = 280当没有射频输入信号时，射频输入输出通路末端是电阻是50 ，从事实验时VCC = 5V ，TA = +25°C。除非另外说明。）
参数 符号 条件 最大 典型 最小 单位
电压源范围 VCC  4.75   5  5.25 V
工作电流 ICC
 MAX2045 120  160  200 mA
  MAX2046 120  160  200 
  MAX2047 120  160  200 
差动输入电阻
VI1 to VI2, VQ1 to VQ2  两者间输入电阻VI1 到 VI2或者VQ1 到 VQ2 6.5    9  11.5 k

同模输入电压
VI1, VI2, VQ1, VQ2 VCM  2.5 V

输入电阻
, II1, II2, IQ1,IQ2  单端对地电阻 150  200  250 
参考电压 VREFOUT 无载REFOUT  2.3   2.45  2.6 V
4.2 交流电压特性
（典型工作电路如下图所示，VCC= 4.75V 至5.25V, TA= -40°C  至 +85°C,  RBIAS=280?,  fIN=2.14GHz  (MAX2045), fIN = 1.9GHz (MAX2046), fIN = 915MHz (MAX2047)，输入电流范围为0到4毫安（如果使用一电流模式数模转换器）。差动输入电压范围为0到0.707V（如果使用一电压模式数模转换器）。如果使用一电流模式数模转换器，电压模式的I/Q输入口将被封闭，如果使用电压模式的数模转换器，所有的电流模式I/Q输入口将被关闭。VCC=5V， TA=+25°C, 除非另外说明。）
参 数 条 件 最小值  典型值  最大值  单  位
射频差动输入阻抗            50 Ω
射频差动输出阻抗           300    Ω
射频负载阻抗           200 Ω
连续相位范围  0                   360 度
4.3 MAX2045的电特性：
（典型工作电路如下图所示，VCC = 4.75V to 5.25V, TA = -40°C to +85°C, RBIAS = 280?, fIN = 2.14GHz，输入电流范围为0到4毫安（如果使用一电流模式数模转换器）。差动输入电压范围为0到0.707V（如果使用一电压模式数模转换器）。
如果使用一电流模式数模转换器，电压模式的I/Q输入口将被封闭，如果使用电压模式的数模转换器，所有的电流模式I/Q输入口将被关闭。VCC=5V， TA =+25°C, 除非另外说明。）
参     数 条           件 最小值  典型值  最大值  单位
频率范围  2040            2240 MHz
射频输入回路损耗          -14 dB
射频输出回路损耗          -16.5 dB
电压振荡型 
功率增益 VI = VQ = 0.707V (范围为1V)         7 dB

 VI = VQ = 0.5V (范围为0.707V)         3.4 
 VI = VQ = 0.25V (范围为0.35V)        -3 
 VI = VQ = 0.125V (范围为0.175V)        -8.7 
功率增益范围 增益差值VI = VQ = 0.707V,
VI = VQ = 0.125V       15.7 dB
反向隔离 整个过压控制范围       -74 dB
相变连续最高功率增益 0 到 360° (radius = 1V)       6.1 dB
减少相位范围最高功率增益 0 到 360° (radius = 1V)        7 dB
包络时延 VI = VQ = 0.707V (radius = 1V)      1.38 ns
过温增益漂移 VI = VQ = 0.707V (radius = 1V)
     -0.027  dB/C
超频增益平稳度 电的延迟迁移VI = VQ = 0.707V
(radius = 1V), UMTS, fIN = 2140MHz ±100MHz      0.21 dB
过频相位平稳度 电的延迟迁移, VI = VQ = 0.707V
(radius = 1V), UMTS, fIN = 2140MHz ±100MHz 0.2
 度
输出噪生增益 VI = VQ = 0.707V (radius = 1V)
 -147.7 dBm/Hz
 VI = VQ = 0.5V (radius = 0.707V) -148.3
  VI = VQ = 0.25V (radius = 0.35V) -148.2
  VI = VQ = 0.125V (radius = 0.175V) -148.1
 IP1dB VI = VQ = 0.707V (radius = 1V)
 6.7 dBm VI = VQ = 0.125V (radius = 0.175V)
 9.3 IIP3 VI = VQ = 0.707V (radius = 1V) 15.2
 dBm
 VI = VQ = 0.125V (radius = 0.175V) 14.7 
电流模式
参     数 条           件 最小值  典型值  最大值 单位
功率增益 II1 = IQ1 = 4mA, II2 = IQ2 = 0mA       6.2 dB
 II1 = IQ1 = 1mA, II2 = IQ2 = 0mA -8.7 
功率增益范围 两者增益之差II1 = IQ1 = 4mA, II2 = IQ2 =0mA 和 II1 = IQ1 = 1mA, II2 = IQ2 = 0mA 14.9 dB
超频功率平稳度 II1 = IQ1 = 4mA, II2 = IQ2 = 0mA; UMTS,
fIN = 2140MHz 100MHz 0.27 dB
超频相位平稳度 电的延迟迁移, II1 = IQ1 = 4mA,
II2 = IQ2 = 0mA 0.8 度

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