利用X射线衍射仪和荧光光谱仪来表征铌酸钾铅荧光粉，分析了铌酸钾铅荧光粉物相结构和发光性能，结果表明镝和铕双掺铌酸钾铅是一种适合商用蓝光芯片激发并且色温可调的白光LED用...

LiFeBO3/C具有高的首次放电比容量和良好的循环性能，0.1C的倍率在1.5V和4.5 V之间的首次放电容量181mAh /g，在10次循环后保持为175mAh/g放电比容量...

针对制定冶炼工艺及确定工艺参数时所涉及的“去碳保锰”热力学研究中所必需的锰的活度问题，采用化学平衡法测到了Fe-Mn体系中锰的活度、活度系数及锰对锰的一阶和二阶活度相互作...

利用Gleeble1500试验机主要研究了AZ61镁合金在变形温度为250-400℃，应变速率为0.01-10s-1下的塑性变形行为。研究结果表明：AZ61镁合金在热变形过程中的真应力、峰值应变会随变形温度、应...

，我们对介孔二氧化硅进行了表面修饰，即在其表面包覆一层壳聚糖-聚甲基丙烯酸聚合物壳层，制备得到具有pH响应的介孔二氧化硅/壳聚糖-聚甲基丙烯酸（即MSN/CS-PMAA，MCP）...

以乙二胺、丙烯酸甲酯为原料，通过重复的Michael加成反应和酰胺化反应制备各代PAMAM树枝状大分子，并对其合成条件（原料配比、反应温度、反应时间及合成环境）进行优化，得到最佳...

以AZ61镁合金作为研究对象，通过对进行过异温，异变形量，同步，异步，差温等不同工艺轧制后的AZ61镁合金进行实验，并且对部分轧制后的镁合金进行热处理。借助力学性能分析，金相...

ZnO是一种宽禁带的直接带隙氧化物半导体材料，它具有低介电常数、大光电耦合系数、高化学稳定性、高的激子结合能以及优良的光学、电学及压电特性等，因此在许多方面有着潜在的...

课题研究了在最重要的第三代宽带隙半导体材料p型GaN和n型ZnO的基础上，利用化学气相沉积（CVD）方法生长出具有高绝缘特性的二维BN薄膜作为p-GaN/n-ZnO异质结的中间电子阻挡层，再通过...

本课题基于现有早强快凝类混凝土的制备技术，使用铝酸盐水泥和硅酸盐水泥，并采用各种外加剂，制备出原材料容易获取、制备工艺简单、成本较低、强度不倒缩、适合3D打印的快硬水...