摘要本文介绍了利用B+、N+和F+离子注入实现AlGaN/GaN异质结结构的功率器件场区隔离。通过优化离子注入的离子种类、注入能量和注入剂量，获得了高温稳定性好的隔离效果。讨论了离子种类、注入能量、注入剂量和退火温度对离子注入所形成的高阻层电阻的影响，探讨了B+、N+和F+离子的隔离机制。22117
关键词  功率器件   AlGaN/GaN   离子注入   隔离
毕业论文设计说明书（论文）外文摘要
Title  Study on the ion implatation for
        isolation of GaN power devices  
Abstract
The isolation of AlGaN/GaN  power devices using B+, N+ and F+ implantation has been reported in this paper. The effects of the implanting ions,implanting energy, implanting dose and annealing temperature on the field-region resistivity were studied, and the excellent isolation performance was achieved. The mechanisms of  various ion implantations were also discussed.
Keywords  power devices   AlGaN/GaN   ion implantation   isolation
目   次
1 引言    1
1.1 研究背景    1
1.2 研究现状    2
1.3 本论文的主要研究内容    5
2 离子种类对隔离的影响    5
2.1 材料结构及场区隔离测试结构介绍    6
2.2 离子注入模拟    7
2.3 离子注入实验    9
2.4 注入隔离实验结果    10
3 注入能量对隔离的影响    16
3.1 离子注入模拟    16
3.2 实验条件    17
3.3 实验结果    17
4 注入剂量对隔离的影响    23
4.1 实验条件    23
4.2 实验结果    23
结  论    30
致  谢    31
参考文献32
1 引言
1.1 研究背景
GaN材料已经成功地应用于LED产业，在RF无线应用领域也有十几年的研究发展。GaN基器件在RF领域的发展，为其在相对频率较低的功率开关器件方面的应用打下了基础。
随着社会的发展，环境和能源问题受到越来越多的重视。高的电源转换效率是实现绿色能源的关键，而开关器件是实现高能源转换效率的关键。目前，功率开关器件以硅基材料为主。功率开关器件的特点是：高击穿电压、低导通电阻、大电流、高工作温度、低开关损耗以及高开关速度[6]。目前，功率转换系统中功率开关器件还是以第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs为主。然而，随着功率开关器件的发展，Si基和GaAs基功率开关器件已经达到了材料本身的极限性能[6]。第三代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）由于其优异的材料性能，受到广泛的关注。
表1-1 常见半导体材料物理参数[1,2]
材料     Si     GaAs     SiC     GaN
禁带宽度Eg(eV)     1.10     1.42     3.26     3.39
相对介电常数εr     11.8     13.5     10.0     9.0
击穿电场EC(MV/cm)     0.3     0.4     3.0     3.3
热导率κ(W/k•cm)     1.5     0.5     4.5     1.3
电子迁移率μ(cm2/V•s)     1350     8500     700     1000~2000
电子饱和速度vsat(cm/s)     1×107     1.3×107     2.0×107     3.2×107 GaN基高压功率器件场区离子注入隔离工艺研究:http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_14612.html