PMN- 峰值 εmax 在 30000～34000 之间，压电常数 d33 最高达 643pC/N。采用改进的坩

PT 埚下降法，制备出尺寸为φ40mm 的 0。67PMN-0。33PT 和 0。65PMN-0。35PT 单晶，

对其晶体结构、组分均匀性、电畴结构和电学性能进行了深入的研究。 结果表

明：单晶的结构为典型的复合钙钛矿结构；径向成分的波动较小，轴向上 Ti4+浓

度有增大的趋势；两组分单晶在电畴结构上存在差异，反映了晶体结构与铁电相

变的特征；PMN-PT 单晶具有优异的介电和压电性能，(001)切型的 0。67PMN-

0。33PT 单晶电容率峰值 εmax 达 45000，最高 d33 为 2580pC/N，(001)切型的

0。65PMN-0。35PT 单晶εmax 达 46000，最高 d33 为 2956pC/N。

锆钛酸铅(PZT)陶瓷[14]是以 Pb304、Ti02、Zr02 以及少量添加物为原料，经预烧合成

再经高温烧结而成 PbTi03．PbZr03 固溶体，是最重要的一种压电陶瓷。其以优良

的压电和介电性能广泛应用于滤波器、换能器、变压器等压电器件。但是随着时

PZT 代的变迁，迎合市场需求，人们要寻求高品质、高稳定性的 PZT 压电陶瓷材料，

为此人们不断对其进行改性研究，以提高其性能，从而满足使用要求。就 PZT 压

电陶瓷的制备工艺而言，PZT  粉体合成和陶瓷的致密化烧结对 PZT 制品质量影响

最大。PZT  超微粉体具备粒度细、比表面积大、反应活性高等优点，可以降低烧结

温度，减少铅挥发，保证准确的化学计量，提高 PZT 陶瓷性能，因而超微 PZT 粉

体的制备已经成为 PZT 压电陶瓷研究的重点。

铋系层状钙钛矿铁电材料因其在非挥发随机存储设备方面的潜在应用而受到了广

泛关注[15]。在这些铁电材料当中，钛酸铋(Bi4Ti3O12，BTO)因具有较大的自发极化

BTO (Ps=40～50μC/cm2)而被认为是目前极具有开发前景的候选材料之一。其缺点是抗

疲劳性能较差。

晶体非线性光学是一种局域效应[16-18]，它是入射光波和各个阴离子基团中的价电

子相互作用结果，晶体的宏观倍频系数是阴离子基团微观倍频系数的几何叠加，

基团的微观倍频系数可以用基团的局域化分子轨道通过二级微扰理论进行计算，

而阳离子对晶体倍频系数的贡献在一级近似下可以忽略不计。

在运用晶体非线性光学效应的阴离子基团理论,系统研究硼酸盐晶体的硼氧基团

结构及其在空间的排列与它们的非线性光学效应关系的基础上,发现了

LiB3O5(LBO),CsB3O5(CBO),KBe2BO3F2(KBBF),Sr2Be2B2O7(SBBO)  ,Ba2Be2B2O7(TBO),

阴离 BaAl2B2O7(BABO),K2Al2B2O7(KABO)等多种线性和非线性光学性能的非线性光学

子集 晶体。LBO 和 CBO 晶体的基本结构属于(B3O7)基团类型,而 KBBF,SBBO 等晶体均属于

团理 不含终端氧原子的(BO3)基团类型。能带理论的计算进一步表明,这类晶体中,阳离子

论 对线性极化率的贡献大约只有  10%左右,而阳离子原子轨道对倍频系数的贡献分

成两类。纯的阳离子原子轨道对倍频系数的贡献约在 10%～15%左右,而阳离子的

最外层原子轨道和阴离子基团原子轨道之间的联合贡献占 35%。能带理论计算进

一步确认,上述非线性光学晶体中,阴离子基团仍旧对晶体的线性极化率和倍频系 KBNNO氧化物材料的制备研究(6):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_83490.html