摘要近年来，TMDCs 作为继石墨烯之后最重要的一类二维材料，一直是研究的热点。本 文通过周期性密度泛函理论（DFT）研究了单层二硫属化铂 PtX2（X=S、Se、Te）的电子 结构、电荷布局分析、分轨道态密度和导带底（CBM）、价带顶（VBM）等性质。计算 得出单层 PtX2 是间接带隙半导体，PtS2、PtSe2 和 PtTe2 带隙分别为 1。79、1。38 和 0。74 eV。 与类似的单层 TMDCs 材料相比，带隙偏小，呈半导体性。分轨道态密度揭示了 PtX2 的 导带底和价带顶的具体组成。由于 PtX2 具有一系列合适带隙这一性质，使得 PtX2 材料可 以成为潜在的红外光电探测和光催化材料。75287

毕业论文关键词 单层二硫属化铂 能带结构 电子结构 分态密度 VBM CBM

毕 业 设 计 说 明 书 外 文 摘 要

Title Design and electronic properties of ultra-thin two-dimensional Semiconductors PtX2  (X= Chalcogen)

Abstract In recent years, as an important type of two-dimensional materials beside graphene, layered transition metal chalcogenides (TMDCs) have been acted as a hot topic for science research。 Through this article, we investigate the band structure, population analysis, partial density of states (PDOS), conduction band minimum (CBM) and valence band maximum (VBM) of the single layer platinum chalcogenides (PtX2, X=S, Se, Te) by periodic density functional theory (DFT) calculations。 The result band-gaps of PtS2, PtSe2 and PtTe2 are 1。79, 1。38 and 0。74 eV, respectively。 PtX2 are semiconductors with smaller band-gaps compared to other TMDCs materials。 The result PDOS indicate the composition of CBM and VBM of PtX2。 The unique semiconductor characteristics of layered platinum chalcogenides makes them promising infrared detector materials and photocatalytic materials。

Keywords Single Layer Platinum Chalcogenides Band Structure Electronic Structure PDOS VBM CBM

本科毕业设计说明书 第 I 页

目 次

1 绪论 1

1。1 石墨烯 1

1。2 h-BN 2

1。3 黑磷 2

1。4 TMDCs 3

1。5 PtX2 4

2 计算原理 5

3 计算方法 6

4 结果与分析 7

4。1 PtX2 基本结构信息 7

4。1。1 PtS2 7

4。1。2 PtSe2 8

4。1。3 PtTe2 9

4。2 PtX2 能带 超薄二维半导体PtX2X=Chalcogen设计和电子结构性质研究:http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_86198.html