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氧化钐对Ba0.75Sr0.25Ti1-δO3陶瓷缺陷行为及介电性能的影响(5)

时间:2022-08-21 10:29来源:毕业论文
钕 Nd 是稀土元素的代表,会使晶粒细化[19],添加到钛酸锶钡中后,BST 材料的 极化弛豫现象以及畴壁共振,产生更多的电偶极子,改善吸波性能;镧 La 和

钕 Nd 是稀土元素的代表,会使晶粒细化[19],添加到钛酸锶钡中后,BST 材料的 极化弛豫现象以及畴壁共振,产生更多的电偶极子,改善吸波性能;镧 La 和铈 Ce 两种稀土元素可以有效的抑制 BST 陶瓷的晶粒生长,掺杂 1%左右的 La 和 Ce 可以改 善钛酸锶钡陶瓷的介电性能。

Bi2O3 掺杂到 BST 陶瓷中会使钛酸锶钡的居里峰出现所谓的弥散现象,即在介电 常数的温度变化曲线上,居里温度两侧的介电常数的温度变化率减小,峰值曲线趋向于 被压抑并展宽;并且随着 BST 陶瓷中 Sr 含量的增大这种效应逐渐显著。文献综述

将 0~0。2%(质量分数)的氧化锌 ZnO 以机械混合的方式添加在 Ba1-xSrxTiO3 粉 体中,随着 ZnO 含量增加,击穿场强增大,介电损耗减小,介电常数提高,当 ZnO 的含量大于某一数值时,材料的介电常数和击穿场强都减小。当 ZnO 掺杂量 1。6%时, 得到的陶瓷体最致密,材料的介电常数和击穿场强也最高,分别为 451 和 36。3kv/mm, 介电损耗到达最小值 0。0016。

1。5   钛酸锶钡电子陶瓷的电学性质及应用

1。5。1  钛酸锶钡电子陶瓷的电学性质

随着科学家的深入研究,人们发现陶瓷的介电性能与晶粒尺寸、晶体的形状有着 密不可分的关系,钛酸锶钡铁电陶瓷作为多晶材料的代表,也不例外。钛酸锶钡陶瓷 开辟了微电子领域的新时代,其中固态存储器显著提高了材料的性能。铁电体材料随 晶粒尺度变化而变化:晶粒尺寸增大,峰值介电常数增大,且弥散效应减弱,遵循居 里-外斯定律[20]。

钛酸锶钡铁电陶瓷材料的极化强度随着外加电场变化的非线性特性,这就是所谓 的非线性效应[21]。相应地,将介电常数随着外加直流电场变化的相对变化率作为一个 参数来衡量这种非线性效应,称为可调性,可调性与铁电陶瓷金属氧化物的量有关, 例如不断地加入金属氧化物 MgO(可控范围内)[22],BST 材料的相对介电常数大幅 度下降,材料的密度和可调性也随之降低。

钛酸锶钡铁电陶瓷材料的介电损耗也是一个重要的性能参数,特别是应用于微波 移相器时,低的介电损耗有利于减小插入损耗,并进而增加相移量。

钛酸锶钡铁电陶瓷在高频工作环境下,介电常数随频率(Hz)增大而下降[23]。因 为在高频条件下,陶瓷内部多种极化形式趋于消失,使极化强度大幅度减小,从而使介 电常数大幅下降。陶瓷内部的极化弛豫越明显,介电常数下降的幅度越大。

1。5。2 钛酸锶钡电子陶瓷的应用

  钛酸锶钡(简称:BST 陶瓷)是一种铁电功能陶瓷材料,在陶瓷、机械、电子 工业应用广泛。

(1)钛酸锶钡铁电陶瓷具有优良的介电性能和铁电压电性,因此在陶瓷方面应 用相当广、潜力大。电容器中通常用陶瓷材料作电介质;PTC 热敏电阻正因为有了加 入了铁电陶瓷,使得超过一定的温度 TC 时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的 增高;节点放大器和光电元件也必要用到优良的陶瓷材料。近年来,钛酸钡为基介电 材料占陶瓷电容器总消耗量的 90%以上。

(2)BST 材料可用作记忆材料,制作高储能电容器。钛酸锶钡铁电薄膜具有低 漏导电流性质,该材料在室温下介电常数可调范围,得到充足的电容量,在运用导体 一绝缘体一导体的结构,金属电极可避免传统电极中原生氧化物的问题。钛酸锶钡薄 膜材料将成为记忆材料的生力军。来:自[优E尔L论W文W网www.youerw.com +QQ752018766-

(3)钛酸锶钡陶瓷在手机通讯、国防研究、航空航海等领域也发挥了重大作用, 电动汽车将逐步取代传统汽油汽车,它采用了超大功率的超级电容器,既实现了适合 短时间的功率输出,也可利一次性存储更多的能量,在汽车行驶过程中,也可对其实 施充电,既环保又还可再回收利用,免去了很多不必要的麻烦。该电动汽车的寿命也 很长,可以说是完全无污染。在航天方面,科学家们在以钛酸钡为基材料加入稀土元 素,改善其吸波性能,大大提高了飞机的抗干扰能力,使得飞机的隐形效果更突出。 氧化钐对Ba0.75Sr0.25Ti1-δO3陶瓷缺陷行为及介电性能的影响(5):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_98192.html

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