飞思卡尔MC9S12HY48RM内DFLASH读写报错ILLEGAL_BP
刚开始学单片机，原来数据存储是在外部EEPROM的。现在想直接存在DFLASH里，貌似要用到模拟EERPOM功能（EEE）。资料看了一些，直接做了很久也没搞出来。我是调用它原来的函数FlashInit（）先初始化flash，读是直接对地址读取，写是先调用它原来的函数DFlashErase（）进行擦除，然后擦除校验DFlashEraseVerify（），然后直接对地址写。这样写仿真的时候会出现ILLEGAL_BP错误提示，如果去掉擦除和擦除校验就读写没有反应。
有没有高手给个思路，应该怎么去做？谢谢！
我做过S12的DFalsh读写应用，根据你的描述，有可能是交叉编译的设置问题，看看芯片有没有选错？
芯片没有选错的，上面写的本来就是是DEMO里的几个芯片合在一起的例子，可能没注意，后来根据他是设置上面自己写了。现在编译不会这样了。
但是我在仿真的memory里看，资料上写DFlash地址是0x00_4400到0x00_53ff，但是这段都有程序啊，而PFLASH地址0X03_0000到0X03_ffff什么内容都没。写入单片机的程序不是应该存在Pflash里吗？DFlash作为数据存储？
因为s12的全局地址有18bit，PPAGE只有4bit，0x00_4400可以这样解析，从最高位计算PPAGE = 0b0001 = 0x01，加上剩下的14bit 0x0400，等于0x010400，这才是全局地址
