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C-N共掺杂TiO2/石墨烯/Cu2O复合物的制备表征及性能研究(3)

时间:2022-08-14 16:01来源:毕业论文
(1)半导体被激发后产生光生电子、空穴;(2)光生电子、空穴,之间发生复 合反应,并以光和热的形式释放能量;(3)由价带空穴引发发生氧化反应

(1)半导体被激发后产生光生电子、空穴;(2)光生电子、空穴,之间发生复 合反应,并以光和热的形式释放能量;(3)由价带空穴引发发生氧化反应;(4) 由价带电子引发发生还原反应;(5)进一步发生热反应或催化反应(如水解或 活性含氧物种反应);(6)捕获导带电子;(7)捕获价带空穴。

图 1。1 半导体的光激发与退激过程

(a)表面复合;(b)体内复合;(c)光生电子还原氧化性的物质;(d)光生空穴氧化 还原性物质。(图中 CB 为导带,VB 为价带;导带与价带之差便为禁带;A 为电子受体; D 为电子供体)

C-N共掺杂TiO2/石墨烯/Cu2O复合物的制备表征及性能研究(3):http://www.youerw.com/huaxue/lunwen_97902.html
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