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ANSYS自动覆膜封装设备设计(2)

时间:2019-12-05 21:41来源:毕业论文
6.1 软件 简介 25 6.2 温度场有限元建模 25 6.2.1 三维几何模型建立 25 6.2.2 ANSYS有限元热分析过程 26 6.3 结果分析 27 6.3.1 加热效果与加热距离的关系 27 6.3.2 加热

6.1  软件简介 25

6.2  温度场有限元建模 25

6.2.1  三维几何模型建立 25

6.2.2  ANSYS有限元热分析过程 26

6.3  结果分析 27

6.3.1  加热效果与加热距离的关系 27

6.3.2  加热效果与加热时间的关系 30

7  封装实验及结果 33

结  论 35

致  谢 36

参考文献37 

1 绪论

1.1  本课题的研究意义

封装对于芯片来说至关重要。封装的作用主要有如下几点:电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑、环境保护。一方面,封装使得芯片与外界环境隔离,起到放置、固定、密封、保护芯片的作用,有效防止外界杂质对芯片内部电路造成腐蚀,导致电气性能下降。另一方面,封装后的芯片更便于安装和运输 [1]。封装案例如图1.1所示。

 封装案例图

由于微电子技术的持续发展,促使芯片尺寸不断减小;芯片的I/O口数量增加,要求使用微间距封装;集成度提高使得单位面积芯片的发热量增加;科研和生产实践对芯片工作频率的要求越来越高,更需要提升互连的电气性能和可靠性。总体来说封装形式正朝着轻、薄、小型化方向发展,上述的各种因素都对封装提出了更严格的要求[2]。封装材料性能的不足,封装的相关失效都严重的制约了新型封装形式的发展,也使封装成为整个微电子产业发展的一个瓶颈。对封装材料、封装的相关失效进行研究分析,可以从根本上解决封装发展的难题。

1.2  封装技术发展状况

芯片封装技术已历经了好几代变迁,从80年代中后期开始,市场需求对电子产品的电路组装提出了新的更高的要求:单位体积信息的提高(高密度化);单位时间处理速度的提高(高速化)[3]。

1.2.1  国内发展状况

在微电子发展初期,主要使用的TH(Through Hole)技术进行封装,芯片采用的封装形式主要以SIP(Single In-line Integration),DIP(Double In-line Integration), PGA(Pin Gray Array)等针插式为主。

现在,主要使用SMT(Surface Mount Technology)技术进行封装,主要有QFP(Quad Flat Package), SOP(Small Outline Package), BGA(Ball Grid Array)等形式[4]。

国内目前广泛使用的封装工艺如下:

(1) 灌封技术

灌封技术是使用固态介质在未固化之前填充到电子元件周围,完全排除空气,从而加固电子元件,提高抗干扰能力[5]。灌封工艺示意图如图1.2所示:

灌封工艺流程图

图1.2  灌封工艺流程图

(2) 低压注塑

塑料熔体用稳定的速度注满模腔,由于膜腔压力差很小,使得塑件均匀,不容易变形,品质高。低压注塑所需的锁模力是高压注塑的1/3,因此对模具的要求相对降低[6]。

传统灌封工艺流程包括置备模型外壳、添加垫片、插入电子元件、预热、灌注、沉降或真空、固化和测试。低压注塑工艺流程包括插入电子元件、注塑和测试。低压注塑工艺与传统灌封工艺相比,低压注塑工艺的优点是环境友好,有助于提高生产效率,节约生产成本。 ANSYS自动覆膜封装设备设计(2):http://www.youerw.com/jixie/lunwen_42778.html

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