国内外关于半导体桥抗电磁的研究现状(2)
时间:2018-03-12 21:56 来源:毕业论文 作者:毕业论文 点击:次
郭晓荣[18]等人通过对典型半导体桥和微型半导体桥进行静电冲击试验和点火试验，得到了在人体静电放电条件下（500pF时)，典型半导体桥的发火概率为0，说明了人体静电对于典型半导体桥来说是安全的。但是当试验条件改为10000pF时，静电冲击能够引起典型半导体桥桥膜的损伤，且最先损伤的部位为其V型缺口处。另外静电作用会导致典型半导体桥的点火时间延长，降低其点火可靠性。 王大为[19]等人通过对典型半导体桥火工品和微型半导体桥火工品进行了专门研究，发现在蘸药状态条件下，典型半导体桥火工品的电阻在静电作用前后不会发生改变，但是其50％发火电压、全发火电压及临界爆发电流均有所增加，得到静电作用使典型半导体桥火工品变得钝感的结论。并且发现药剂种类和装药方式不会改变半导体桥的静电致钝的特性。另外，静电作用也会导致微型半导体桥变得钝感。 (责任编辑：qin) |