宽带低噪声放大器的发展研究现状和参考文献
时间:2024-01-20 14:15 来源:毕业论文 作者:毕业论文 点击:次
在无线通信的研究领域中,低噪声放大器(LNA)一直都是研究的热点与重难点。对于带宽很宽的低噪声放大器来说,匹配输入和输出端口的网络会比较困难,一般情况下两个端口的驻波比较大;现在主要是通过降低低频增益来实现带宽的扩展,这样做也势必会使得最终获得的增益比较低。目前国内对于这种放大器的研究还较少,很多文献和论文中设计的放大器不仅频率比较低,工作带宽也不是很宽。曹文财,石玉,何泽涛[1]等人从宽带匹配和减小噪声的角度出发测试了一个超宽带低噪声放大器的设计,利用 ADS 软件进行仿真设计,实现了一种在超宽带低噪声放大器。93163 相较之下,国外的研究机构对于宽带低噪声放大器的研究有更丰富的成果。 半导体技术在不断的发展,单片微波集成电路(MMIC)已经成为目前业界发展的核心。将MMIC技术运用到宽带低噪声放大器中也渐渐地成为了其发展的一个方向。在射频微波领域还有一种集成技术:混合微波集成电路(HMIC),已经有适用于LNA最好的晶体管
[1] 曹文财,石玉,何泽涛。超宽带高线性低噪声放大器的研制,磁性材料及器件。2011,42(3):68-71 [2] J。M Rollett。Stability and power gain invariants of linear two-ports。IRE Trans。Circuit Theory,1962,vol。9:29-32 [3] Mingqi Chen,William Sutton,Ioulia Smorchlova,Benjamin Heving。A 1-25 GHz GaN HEMT MMIC Low-Noise Amplifier。IEEE Microwave and wireless components letters,2010,vol。20:563-565 [4] 《中国集成电路大全》编委会。微波集成电路。北京:国防工业出版社,1995 [5] 卢益锋。ADS射频电路设计与仿真学习笔记。北京:电子工业出版社。2015。107 [6] 陈兴国,李佩,刘同怀,等。单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用[J]。微电子学,2005(6):326-328 [7] 魏磊磊,熊建设。超宽带无线通信[J]。微计算机信息,2010:58-59 [8] W。Zhuo,X。Li,S。Shekhar,et al。A capacitor cross-coupled common-gate lownoise amplifier。IEEE Transactions on Circuits and Systems II;Express Briefs,2005:875-879 [9] H。W。Bode。Network analysis and feedback amplifier design。N。Y:Van Nostrand,1945 [10] R。M。Fano。Theoretical limitations on the broad band matching of arbitrary impedances。Journal of the Franklin Institute,1950,vol。249:57-83
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