毕业论文移动版

摘     要 半导体材料在我们日常的生产生活中起着不可替代的作用。Si是到目前为止使用最广泛的半导体材料之一。但是Si中存在的位错和空位等缺陷会影响半导体器件的性能。所以本文中采用了分子动力学方法模拟了Si中位错与位错之间的相互作用以及位错与空位之间的相互作用。95148

    本文的主要工作：

一、计算模拟硅中两个位错之间的相互作用，并与一个位错没有遇到另一个位错的情况向比较。

二、计算模拟硅中两个位错在同一个滑移面上的情况，并与两个位错不在同一个滑移面上的情况相比较。

三、计算模拟硅中位错与空位之间的相互作用，并与位错没有遇到空位的情况相比较。

毕业论文关键词：半导体材料；位错；空位；分子动力学；相互作用

Abstract Semiconductor material plays an irreplaceable role in our daily production and life。 Si is one of the most widely used semiconductor materials up to now。 However, defects such as dislocations and vacancies in Si can affect the performance of semiconductor devices。 In this paper, the molecular dynamics method is used to simulate the interaction between two dislocations in Si and the interaction between dislocation and vacancy。 

This major work carried out are:

First ,the interaction between two dislocations in the silicon is calculated and compared with the case where a dislocation does not encounter another dislocation。

Second ,the calculation of the two dislocations in the same slip plane in the simulated silicon is compared with that of the two dislocations on the same slip plane。 

Third ,The interaction between dislocations and vacancies in the simulated silicon is calculated and compared with that of the dislocations。

Keywords:Semiconductor material;Dislocation;Vancancy;Molecular dynamics method;Interaction。

目  录

第一章  绪论 1

1。1 引言 1

1。2 本文的研究背景及研究意义 1

1。3 硅锗异质结构简介 2

  1。3。1失配位错的产生 3

1。4 硅中位错类型 6

1。5 主要研究内容 11

第二章  研究方法 12

2。1 分子模拟方法 12

2。2 分子模拟软件 13

2。2。1 XMD软件 13

2。2。2 LAMMPS软件 13

2。3 势函数 14

2。3。1 Stillinger-Waber势函数 14

2。3。2 Tersoff势函数 15

2。3。3 EDIP势 16

2。4 应力施加算法 17

第三章  硅中60°shuffle型位错之间的相互作用 19

3。1 计算模型 19

3。2 模拟方法 19

3。3模拟结果 20

  3。3。1 当两个位错在同一个滑移面上的时候 20

  3。3。2 当两个位错在不同滑移面上的时候 22

3。4模拟结论 23

第四章  硅中60°shuffle型位错与空位团相互作用 (责任编辑：qin)