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2.4层错能与广义层错能

堆垛层错（stackingfault），晶体中由于堆垛顺序不同于正常顺序而引起的一种面缺陷，是由于一个不全位错扫过滑移面时所造成的区域面积不完整性，我们称之为层错。例如面心立方晶体的（111）面上经过了一个不全位错后，密排面的堆垛顺序由ABCABC变为了ABAB，这一过程便构成了层错。层错属于缺陷的一种，并且层错破坏了晶体的周期完整性并且引起了能量的升高[18]。其中产生单位面积所需能量就被称为层错能。

广义层错能（generalizedstackingfaultenergy，GSFE）是层错概念的一个拓展概念，把特定的位移扩展到了任意位移，最早是由Vitek在1968年定量提出（相应的滑动概念由Frenklel在1920年提出）。Vitek最早给出能量差的表示方法，GSFE又称为二维能量面。GSFE梯度给出了Peierls-Nabarro模型中的恢复力，从而能够更加精确的定位位错的芯结构及peierls应力，此后J.R.Rice在1992年提出不稳定层错能的概念（unstablestackingfaultenergy,USF）,它决定了位错成核所需要克服的势垒高度。广义层错能GSFE定义为由超晶胞的两部分沿着

位错面开始滑移，滑移至时的能量E()与=0时能量的差值。公式如下：

本文通过研究镁合金的广义层错能，来探究分析滑移机制以及位错结构，如下图所示为Mg的基面与柱面的广义层错能面[19-25]。