温度对SiC半导体材料载流子浓度的影响(2)
时间:2018-10-18 20:37 来源:毕业论文 作者:毕业论文 点击:次
1.2 半导体的分类及特性 1.2.1 III-V族半导体 III-V族半导体的研究较半导体是GaAs基和GaN基半导体，下面对这两种半导体加以概述。 （Ga，Mn）As半导体中的铁磁性一度受到人们的极大关注。Mn 离子的浓度和空穴载流子浓度的数量级是相同的，认为其铁磁性可能与空穴载流子有关。GaN的化学键主要为共价键，同时因为Ga和N原子电负性的并不是完全一致的，多少存在一点差别，在该族化合物中存在相当大的离子成分，GaN晶体一般是优尔方纤锌矿结构。GaN作为半导体材料具有以下优点：禁带宽度大，热导率高，工作温度高。 1.2.2 IV族半导体 IV族半导体研究较多的为Ge基和Si基半导体，下面对着两种半导体作以简单介绍： Ge基半导体有着广泛的应用前景。在Ge中Mn元素的溶解度比较低，如果掺杂离子浓度底那么居里温度也会变低，常采用非平衡工艺避免掺杂元素的析出。Ge1-xMnx 半导体的居里温度能突破400K，这种假设是否正确呢？这个假设是Zhao等人提出的。为了证实这个猜想的正确性，人们开始积极进行探索和研究。随后，Cho等在Ge1-xMnx半导体的研究中发现铁磁性来源于其第二相。Li等人在Ge1-xMnx半导体半导体中发现存在两个铁磁性转变温度，温度较低的对应于束缚磁化极子随温度的降低而增大并重叠，结果都成为长程有序；而温度较高的对应于由于局域空穴载流子和周围的Mn离子形成束缚磁极子的转变温度。Signh等认为其室温铁磁性来源于超薄晶体Fe层间的耦合作用。薄膜，磁性研究表明，其居里温度与Mn掺杂浓度密切相关。 (责任编辑：qin) |