Co掺杂含量对SiC薄膜电性能的影响(2)
时间:2019-01-19 14:36 来源:毕业论文 作者:毕业论文 点击:次
1. SiC晶体简介 SiC作为无机非金属材料中的一种，硬度非常的大，同时在导热和导电等方面具有较为优良的性能，高温时能抗氧化。主要用途在于作为磨料、冶金原料、功能陶瓷和高级耐火材料，纯度较高的单晶还可以用来制造半导体材料。较为纯净的SiC晶体是无色透明的，但是因为SiC在不同的物理环境和化学环境中能够形成不同的晶体结构，所以这些成分相同但在构造、形态和物理性质等方面有着很大差异的晶体称之为同质多变体。如今发现的SiC的同质异形体有210多种，常见的主要有2H-SiC；4H-SiC；6H-SiC；15H-SiC(如图1-1)[6]。不同的同质多变体具有不同的物理性质，所以在实际的实验和产品中，由于生产工艺的不同和杂质的不同，所以晶体会呈现出绿、蓝、浅黄，甚至是黑色。 SiC是在硅（Si）和砷化镓（GaAs）为代表的传统的半导体材料后的一种新型的半导体材料。具有非常多的优点，主要是具有很高的击穿场强，非常高的饱和电子漂移速率，相当高的热导率，很高的键合能等优点，可以满足特殊环境和条件下对于半导体材料的要求。特别是在军事和航空等众多方面。现代电子技术需要在众多方面应用，这就要求用到的材料具有能承受高温高压的功能，同时还要具有耐高频和较好的抗辐射的能力，SiC作为新型半导体材料，恰好能够满足这些新的要求。因此在半导体材料中具有很好的前景。  图1-1几种常见的同质异形体SiC的结构图 2. Sic薄膜的制备的实验 本毕业论文中制备薄膜运用的磁控溅射技术是目前比较成熟的一项薄膜制备技术[7]，用这种方法制备出的薄膜质量高，薄膜的厚度也比较均匀，与衬底相结合 (责任编辑：qin) |