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    脉冲激光沉积技术： 是将脉冲激光器所产生的高功率脉冲激文献综述

光束通过透镜的聚焦作用，将激光能量作用于靶体材料表面，在靶体材料表面产生高温，导致靶体材料熔蚀，并进一步产生高温高压等离子体，这种等离子体定向局域膨胀发射并在衬底上沉积而形成薄膜。这过程可分为3步。

（1）靶体表面熔蚀及等离子体产生

高强度脉冲激光击中靶体时，靶体吸收激光束的巨大能量，因此被激光照射处的靶体表面温度升高至蒸发温度以上，从而这部分靶体产生熔蚀，使靶材汽化蒸发。瞬间蒸发汽化的气化物质与激光继续作用，使绝大部分气化物质电离并形成区域化的高浓度等离子体。等离子体一旦形成，它又以新的机制吸收光能而被加热，当到达一定温度时，表现为一个具有致密核心的闪亮的等离子体火焰[15]。

（2）等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射

靶表面等离子体火焰形成后，这些等离子体继续与激光束作用，进一步产生电离，使等离子体的温度和压力迅速升高，并在靶体表面法线方向上形成大的温度梯度和压力梯度，当激光作用时使其沿靶体表面法线方向向外作等温发射，当激光停止时，向外作绝热膨胀发射。此时，电荷云的非均匀分布也会形成相当强的加速电场。在这些极端条件下，高速膨胀过程将在数十纳秒时间瞬时发生，由于具有微爆炸性质以及沿靶体表面法线方向发射的轴向约束性，可形成一个沿靶体表面法线方向向外的细长的等离子体区，即所谓的等离子体羽辉，其空间分布形状可用高次余弦规律描述。

  （3）在衬底表面凝结成膜

    由于没有激光的作用，作绝热膨胀发射的等离子体迅速冷却，当遇到位于靶体对面的衬底后即在衬底上沉积成膜。形核过程主要取决于基体、靶体材料和气态材料3 者之间的界面能。临界形核尺寸主要取决于其驱动力。对于较大的晶核来说，它们具有一定的过饱和度，它们在薄膜表面形成孤立的岛状颗粒，这些颗粒之后慢慢膨胀并且接合在一起。当过饱和度增加时，临界晶核尺寸减小甚至接近于原子半径的尺寸，此时的薄膜的形态为二维的层状。来*自-优=尔,论:文+网www.youerw.com

2。2真空热蒸发法

    真空热蒸发是将被置于高真空环境中的固体材料加热，使之升华或蒸发并淀积在特定的衬底上，以获得薄膜的工艺方法。通过真空热蒸发工艺可以在不同的衬底上镀上不同的膜，广泛使用的导电材料、介质材料、磁性材料和半导体材料，都可以通过真空热蒸发来制备。利用真空蒸发工艺形成各种薄膜是集成电路制备的一项重要技术。

真空热蒸发的要点：

    1。真空度　在真空热蒸发工艺中，系统的真空度是直接影响成膜质量的关键所在。为了使蒸发原子或分子能稳定淀积在离开蒸发源一定距离的衬底上，本次试验真空室的真空度应在6×10-2帕量级。