毕业论文移动版

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从DD RAM读数据，读指令执行后Y地址计数器自动加1。从DD RAM读数据前要先执行“设置页地址”及“设置列地址”命令。

3。4 CC2530 Flash 存储器

CC2530单片机的可编程非易失性存储器，可以映射到代码和外部数据存储器空间。除了保持程序代码和常量以外，非易失性存储器允许应用程序保存必要的数据，以保证这些数据在设备重启后可用。通过Flash 控制器，可以保存外部数据，当系统再次上电后就可以直接访问数据。

表3-2：CC2530存储空间

CC2530 Flash控制器负责写入和擦除CC2530 Flash存储器，嵌入式Flash存储器包含多达100多个页面，每页有2048个字节。具有以下特性：

（1）32位字可编程，按页面擦除；

（2）具有写保护和代码安全的锁定位；

（3）Flash页面擦除时间约为20ms;

（4）整个芯片Flash擦除时间为200ms;

（5）Flash写入时间（4个字节）约为20微秒。

CC2530使用Flash控制器来进行Flash写操作，可以通过使用DMA传输或者CPU直接访问两种方法来实现。

（1）DMA写Flash操作

使用DMA（直接内存存取）进行Flash写操作，将需要写入的数据应放入XDATA空间，其首地址作为DMA的源地址，目的地址固定为Flash写数据寄存器FWDATA(0x6273)。设置DMA写Flash触发事件，当Flash控制寄存器FCTL。WRITE置为1时，触发DMA传输。

    使用DMA 写Flash操作时必要注意下述几点：来-自~优+尔=论.文,网www.youerw.com +QQ752018766-

    ①Flash为32位字可编程，传输的长度为4的整数倍，否则要进行位补充。

    ②DMA选择按字节方式传输。

    ③传输模式为单次传输。

        ④在DMA传输期间，其他中断程序处理时间超过一次写Flash时间(20微秒)，Flash

 写操作因为超时而停止，所以DMA传输优先级设置为最高。

（2）CPU直接写Flash操作

 CPU直接写Flash的操作指令要在SRAM空间运行，具体步骤如下：

    ①FADDRH:FADDRL为传输数据的首地址；

    ②设置FCTL。WRITE为1，开始写Flash操作；

    ③在20微秒时间内写FWDATA四次，直到FCTL。FULL变低

    ④等待直到FCTL。FULL变为低电平。

在本项目设计中使用DMA写Flash方式来存储温度数据，DMA传送方式不需要经过CPU的累加器，减少了中间环节，并且内存地址的修改和传送完毕的结束报告都由硬件完成，很大程度上提高了数据传送速率。该方式用到了控制寄存器FCTL(0x6270),