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MEMS/NEMS双臂梁型微/纳机电系统Pull-in失稳分析(6)

时间:2022-06-11 14:41来源:毕业论文
横梁的每单位长度的静电力的一阶边缘场校力 (3) 其中,0表示真空介电常数, ; V是施加电压; g是当没有偏转时两个电极之间的原始间隙。 梁的每单

横梁的每单位长度的静电力的一阶边缘场校力

                  (3)

其中,0表示真空介电常数,

       V是施加电压;

       g是当没有偏转时两个电极之间的原始间隙。

梁的每单位长度的卡西米力是

其中,ℏ是减少的普朗克常数;

      v是光的速度;

将等式(2),(3)和(4)代入方程(1),并引入无量纲变量u = U / g和x = X / L,我们可以将控制方程转换为无量纲形式如下:

其中在上述等式中,表示能量参数;

               表示分子间卡西米尔力参数;

                表示静电力参数和边缘场参数。 

他们可以描述响应力量的大小。 这些参数在它们的变化范围内, 表面能参数可以为负。= 0,= 0和= 0分别对应于自由表面能纳米致动器,MEMS微致动器和独立的纳米致动器的情况。

对于双臂NEMS,边界条件为来;自]优Y尔E论L文W网www.youerw.com +QQ752018766-

我们将双臂中端最大偏转表示为umid = u(0。5),并研究Pull-in参数uPI中端和PI。 从方程式(6)的第三个等式中,Pull-in电压V PI可以根据拉入参数PI来表征如下:

3。四次形状函数和Pull-in参数

首先,我们将方程式(5)—(7)转换为等效非线性积分方程,以便根据边界条件确定所有积分常数。其次,我们将方程式(5)其操作形式重写成如下

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