实际制作的微带天线的测试是由美国豪厄尔、曼森首先完成。在第二十世纪七十，曼森教授用微带天线的设计方法。一年之后，豪厄尔研究和微带贴片天线的基本设计（矩形和圆形）。1980，对微带天线的应用微带天线和深度和宽度的理论也得到了很大的发展，逐渐变得成熟了。
1.2毫米波微带天线的研究现状及意义
1.2.1毫米波微带天线的研究现状
1.2.2毫米波微带天线的研究
1.2.3的毫米波微带天线的发展趋势
2 毫米波微带阵列天线的分析与设计
2.1 问题的提出
在毫米波微带阵列天线中，微带馈电网络的损耗很大程度地地限制了增益的提高。
因此在毫米波应用中，要想精度可靠，必须计入微带线上全部损耗，微带阵增益的计算才可靠。
2.2未计入辐射损耗的微带线的损耗分析
对于介质损耗衰减常数  和导体损耗衰减常数  
采用文献中给出的公式计算微带天线的损耗α = αc+αd，其中微带线基本参数： f r＝35GHz， λg=0.643 64 cm，导体带厚度t＝0.01778mm，主馈线宽度w＝0.1999mm，
介质基片厚度 h＝0.254mm,相对介电常数εr＝2.257。计算得
αd= 0.0424, dB/cm，αc=0.0850 dB/cm，α= 0.082dB /λg。这与文献[17]给出的微带线在30～40GHz频率的衰减可达0.19dB / λg～0.25dB / λg的结论不相符合。因此在计算毫米波微带线损耗时，上述公式已经不太适用了，因为微带天线阵增益的计算结果和实测值偏差也会比较大。
由于本设计中心频率为 35GHz，已远超出计入辐射损耗的门限值，所以微带线的损耗应该包括介质损耗、导体损耗、辐射损耗三部分。现今还没有发现计算微带线全部损耗的计算公式，为此本文在分析设计中只能采取实测的结果。实测参数：f＝35GHz，介质为RT/Duriod  5880，微带线特性阻抗为100Ω，线长为2. 489λg。实测结果：回波损耗控制在16dB 情况下，微带线损耗α = 0.37dB /λg。
在微带线和终端负载匹配很好的情况下，回波损耗可以控制在20dB，故我们需根据上述实测结果作一分析推导。
将 L R= 20 dB
代入上式，可得
 =0.4626dB /λg，说明反射波的功率减小所带来的微带线损耗的差值为
0 .0926dB /λg，故回波损耗控制在20dB情况下，微带线损耗α = 0.2774dB /λg。比较可见：在毫米波波段，微带线的辐射损耗是比较严重的，因此在毫米波微带阵列天线的分析设计中必须计入辐射损耗结果才可靠。
2.3 一种计算微带天线阵整体馈线损耗的方法
接下来分析并联馈电网络损耗。下图天线阵采用等功率馈电，设每个贴片元得到的功率都为P。如图所示： 6、7两节点之间馈线长为λg，5、6之间为λg，4、5之间为2 λg，3、4之间为2 λg，2、3之间为4 λg，1、2之间为4 λg，其余为对称结构。做如下定义：
P s --- 4 个贴片元的总辐射功率(包括并馈损耗)； 
Pi --- 本节点从上一节点获得的总功率 35GHz小口径平面天线设计+文献综述(2):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_19315.html