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高功率微波效应对接收机前门耦合器件研究(2)

时间:2021-04-24 09:31来源:毕业论文
4 The fourth chapter introduces the design of low noise amplifier. The article choses the high electron mobility transistor ATF54143 as the core of low noise amplifier. a biasing circuit design of low

4 The fourth chapter introduces the design of low noise amplifier. The article choses the high electron mobility transistor ATF54143 as the core of low noise amplifier. a biasing circuit design of low noise amplifier and input and output matching circuit are designed.

5 The fifth chapter introduces the design of mixer. In this paper, based on Gilbert mixers the technical index of the mixer is tested in detail.

Keywords: HPM  Filter  Limiter  LNA  Mixer

目录

1 绪论 1

1.1 课题研究背景及意义 1

1.2 国内外研究现状 1

1.3 研究方法 2

1.4 研究方向 4

2 带通滤波器 4

2.1 滤波器理论 5

2.2 滤波器设计指标 5

2.3 滤波器设计及优化 6

3 低噪放防护设计 10

3.1 限幅器简介 10

3.2 PIN管电路模型 11

3.3 限幅器的技术指标 12

3.4 PIN管限幅器设计 13

3.5 限幅器的线性区及饱和区平顶泄漏电压测试 14

4 低噪声放大器 15

4.1 二端口网络 16

4.2 低噪放技术指标 18

4.3 低噪放设计 21

5 混频器 36

5.1 混频器理论 36

5.2 Gilbert混频器简介 37

5.3 混频器的技术指标 37

5.4 混频器设计 40

6 总结与展望 49

6.1 总结 49

6.2 研究展望 49

致谢 50

参考文献 51

1 绪论

1.1 课题研究背景及意义

在信息化战争中,高功率微波武器作为一种新的定向能电磁武器将成为重要的作战装备,因此,目前已成为各军事强国重点发展的武器系统。众所周知,由于现代装备越来越依赖于精密电子设备,高科技武器装备普遍具有复杂电子系统,因此,也越来越容易受到定向能微波武器的攻击。 高功率微波效应对接收机前门耦合器件研究(2):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_74026.html

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