Moloney 等人报道了 L波段五位移相器[27]
，低移相位使用加载线移相电路 90°和
180°移相位为高通(T 型)/低通(π型)滤波器型移相电路，使用串联 FET 开关实现开
关路径的转换。
随着 GaAs器件技术的发展，PHEMT等性能优良新器件的工艺技术不断成熟，采用
这些器件的电路性能得到了极大的提高。Campbell 等人报道采用0.25μm PHEMT工艺
技术实现了用于卫星通信系统的 K 波段五位小型 MMIC 移相器。在电路设计中采用电
磁仿真(EM)技术，降低芯片使用面积，芯片尺寸仅为 1.693mm×0.75mm(1.27mm2
)。在
19GHz 时测得的移相器的插入损耗为 5dB±0.6dB，均方根相位误差为 3°。0.25μm
PHEMT工艺技术的应用为单片集成其它 K波段的高性能器件提供了条件。
近年来，MEMS 技术的飞速发展促进了高性能 MEMS 移相器的出现，在高性能微波
天线系统和通信系统中有着广阔的发展前景。随着材料技术和器件工艺技术的不断发
展，MMIC移相器将继续向高性能、小型化，以及 T/R组件的全单片化方向发展，同时
降低成本仍是MMIC电路得以广泛应用的前提条件。
1.4  本文的主要工作
本课题属于微波器件研究领域，针对数字式移相器的理论分析和设计作了一定的
研究和比较，分析了数字移相器电路的设计原理，各种元器件的计算建模方法，使用
Agilent 公司的  Advanced Design System 2009(ADS 2009)软件进行数字移相器的设计，
各章内容如下：
第一章：引言，介绍了 MMIC 发展概况，总结了目前国内外 MMIC 技术以及移
相器发展现状，强调了 MMIC 技术在军用和民用的重要应用，论述了本课题研究的重
要意义；
第二章：对器件建模概述，介绍了 MMIC 无源器件的建模以及开关器件—PIN二
极管的模型与等效电路；
第三章：详细介绍了各种移相器的电路结构及它们的工作原理，并针对移相器性
能参数、优缺点、适用相移范围等进行了详细的比较和分析；
第四章：本文的重点，提出了五位数字式移相器电路的每位的电路拓扑，并利用
ADS 软件进行了仿真、优化，并对仿真结果进行了分析。 基于MMIC的基础研究 (5):http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_7510.html