摘要本文首先对透射式GaAs光电阴极的光学性质进行了理论研究，在薄膜光学矩阵理论的基础上，推导了玻璃基底、Si3N4增透层、Ga1-xAlxAs窗口层和GaAs发射层四层膜系统的透射式GaAs光电阴极的反射率和透射率的表达式，建立了透射式GaAs光电阴极的光学性质理论模型。然后在透射式GaAs光电阴极光学性质理论模型的基础上，使用MATLAB软件以及其GUI功能研制了透射式GaAs光电阴极组件光学性质拟合软件。最后使用软件拟合了MBE和MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极样品的理论参数值，并进行光电阴极结构的评价与比较。80430
毕业论文关键词 MBE MOCVD 透射式GaAs光电阴极 光学性质
毕业设计说明书外文摘要
Title Structural evaluation of transmission-mode GaAs photocathodes grown by MBE and MOCVD
Abstract Firstly researches on optical properties of transmission-mode GaAs photocathodes are done。Based on thin film optical matrix theory,the reflectivity and transmmisivity of transmission-mode GaAs photocathodes which are structured of glass substrate,Si3N4 transmission enhanced layer,Ga1-xAlxAs window layer and GaAs emissive layer。Then based on the theory model of transmission-mode GaAs photocathodes,a software to fit optical properties of transmission-mode GaAs photocathodes is developed by using MATLAB and its GUI function。Finally the theoretical parameter values of transmission-mode GaAs photocathodes grown by MBE and MOCVD and do evaluation and comparison of them。
Keywords MBE MOCVD transmission-mode GaAs photocathodes optical properties
目 次
1 引言 2
1。1 负电子亲和势光电阴极发展概述 2
1。3 透射式GaAs光电阴极研究基础 3
1。4 本文研究背景意义及本文主要工作 3
2 透射式GaAs光电阴极组件光学性质理论研究 5
2。1 引言 5
2。2 透射式GaAs光电阴极光学性质的理论研究 5
2。3 本章小结 8
3 透射式GaAs光电阴极组件光学性质拟合软件研制 9
3。1 引言 9
3。2 透射式GaAs光电阴极光学性质拟合软件 9
4 MBE和MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极的结构评价 13
4。1 引言 13
4。2 透射式GaAs光电阴极组件结构 13
4。3 MBE生长的透射式GaAs光电阴极组件光学性质研究 13
4。4 MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极组件光学性质研究 22
4。5 MBE和MOCVD生长的透射式GaAs光电阴极光学性质的比较 25
结 论 26
致 谢 27
参 考 文 献 28
1 引言
1。1 负电子亲和势光电阴极发展概述
光电阴极作为一种光电发射材料，其发明与发展都是以外光电效应为理论基础的[1-3]，所为光电阴极，也就是将光信号转变为电信号的一类原件。1912年，在Koller和Compbell的研究之下，Ag-O-Cs(S-1)这类光电阴极被研制了出来，这种光电阴极对于肉眼可见光以及近红外区域灵敏，具有独特的近红外光谱响应。 MBE与MOCVD生长透射式GaAs光电阴极的结构评价研究:http://www.youerw.com/tongxin/lunwen_93439.html