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MBE与MOCVD生长透射式GaAs光电阴极的结构评价研究(4)

时间:2022-05-04 14:52来源:毕业论文
本章从理论上研究了透射式GaAs光电阴极的光学性质,为深入了解其光学性质并进行评估和比较提供了理论依据。 3 透射式GaAs光电阴极组件光学性质拟合软

本章从理论上研究了透射式GaAs光电阴极的光学性质,为深入了解其光学性质并进行评估和比较提供了理论依据。

3  透射式GaAs光电阴极组件光学性质拟合软件研制

3。1  引言

随着计算机在科学中的使用与发展,由计算机来进行实验的模拟与仿真逐渐成为实验的有效替代方法,因此本章在前一章的理论基础之上进行计算机软件的设计,尝试通过计算机软件程序来对GaAs光电阴极的光学性质进行评估。来:自[优.尔]论,文-网www.youerw.com +QQ752018766-

3。2  透射式GaAs光电阴极光学性质拟合软件

3。2。1 光学性质拟合软件的设计思想

考虑到该软件的设计目的在于对GaAs光电阴极的光学性质进行拟合,因此该软件程序的理论基础在于薄膜光学理论,即在前一章所叙述的薄膜光学理论,通过该理论来研制软件,以用来对GaAs光电阴极的光学性质进行拟合。

该程序的设计路线如图3。1所示,使用者在给定样品的膜层厚度组合、Al组分等数据,并且控制一定的拟合误差,来对光学性质进行拟合,拟合方式包括三种,分别为单独对反射率进行拟合,单独对透射率进行拟合以及同时对反射率和透射率进行拟合,然后可以得到理论的厚度组合、理论与实验的误差以及样品的实验值与理论值的差值曲线。

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