菜单
　　
    摘要各向异性磁电阻效应是铁磁学中一种经典的磁电阻现象，但在反铁磁中很少有关于该效应的研究报道。 本文中， 利用铁磁绝缘体基底YIG 与反铁磁IrMn 薄膜，制备 YIG/IrMn 双层结构的薄膜样品， 对反铁磁中的各向异性磁电阻效应进行了初步探索。实验结果表明，反铁磁在高温与低温下存在两种不同的各向异性磁电阻效应产生机制，且反铁磁的薄膜厚度可以显著影响该效应。此外，反常（正常）霍尔效应的探索进一步丰富了 YIG/IrMn 这一薄膜结构的研究内容。由于涉及的理论知识较为复杂，需要更多的补充实验与理论分析以深入理解其物理本质。  21754
    毕业论文关键词  反铁磁  各向异性磁电阻  铁磁学  霍尔效应
    Title   Anisotropic Magnetoresistance in  Antiferromagnets   and Controlling by Electric Field                         
     Abstract
    Anisotropic magnetoresistance (AMR) effect is a classic magnetic
    resistance phenomenon in the field of ferromagnetics. However, there is
    little research reports concerning the effect in antiferromagnets. In this
    paper, by using the ferromagnetic insulator YIG and antiferromagnetic film
    IrMn, the YIG/IrMn double layers sample is prepared. Further, the AMR
    effect in antiferromagnets is explored preliminarily based on the sample.
    Results show that there exists two different mechanisms for the occurring
    of AMR in antiferromagnets under high and low temperature respectively,
    and the effect can be strongly influenced by the thickness of the
    antiferromagnetic  film. Additionally, the research contents are enriched
    by means of the exploration on anomalous or ordinary hall effect. Due to
    the complicated  theoretical knowledge involved, more supplementary
    experiments and theoretical analysis are required to understand the
    physical nature thoroughly. 
    Keywords  Antiferromagnets  Anisotropic Magnetoresistance 
    Ferromagnetics  Hall Effect
     
    目   次
     
    1  引言  1
    1.1  自旋电子学  1
    1.2 各向异性磁电阻效应 4
    1.3 反铁磁 5
    1.4 反铁磁 IrMn 的研究概述 7
    1.5 本论文的研究思路与内容 9
    2   实验原理及方法 11
    2.1 薄膜样品的制备 11
    2.2 薄膜样品霍尔器件的制备 12
    2.3 薄膜样品的结构与成分表征 14
    2.4 薄膜样品的磁电性能测试 15
    2.5 三种常见的霍尔效应 18
    3   磁电阻效应初探及样品表征 22
    3.1 铁磁金属的各向异性磁电阻 22
    3.2 顺磁性金属的各向异性磁电阻 24
    3.3 反铁磁 IrMn 薄膜样品的表征 26
    3.4 本章小结 28
    4   反铁磁 IrMn 各向异性磁电阻效应的初探 29
    4.1 高温下反铁磁 IrMn 的各向异性磁电阻效应 29
    4.2 低温下反铁磁 IrMn 的各向异性磁电阻效应 32
    4.3  场冷模式对反铁磁 IrMn 各向异性磁电阻效应的影响 36
    4.4  薄膜基底对反铁磁IrMn 各向异性磁电阻效应的影响 36
    4.5  本章小结 38
    5   反铁磁 IrMn 各向异性磁电阻效应的进一步研究 40
    5.1  薄膜厚度对反铁磁IrMn 各向异性磁电阻效应的影响 40
    5.2 反铁磁 IrMn 反常（正常）霍尔效应的研究 43
    5.3 本章小结 46
    结论   47
    致谢   48
    参考文献491  引言
    二十一世纪是信息技术高速发展的时代，席卷全球的信息科技也给人类的生产
    和生活方式带来了深刻的变革。随着半导体工艺与集成电路研究的不断深入与完善，
  1. 上一篇：焊接工艺参数在线传感与过程传输技术研究
  2. 下一篇：中低温SOFC阴极LnBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ的电化学性能研究

  1. 不同链长聚二甲基硅氧烷...

  2. 电弧离子镀TiAlN硬质薄膜的制备及性能研究

  3. 电弧离子镀TiCN硬质薄膜的制备及性能研究

  4. 稀土元素Dy对合金涂层结构与高温性能的影响

  5. 金属纳米晶体铁磁转变温度的热力学研究

  6. 热管/超声协同FSW弱连接的...

  7. ZK60表面MAO-ED陶瓷/HA复合生物涂层的制备

  8. 高警觉工作人群的元情绪...

  9. g-C3N4光催化剂的制备和光催化性能研究

  10. NFC协议物理层的软件实现+文献综述

  11. 上市公司股权结构对经营绩效的影响研究

  12. C++最短路径算法研究和程序设计

  13. 现代简约美式风格在室内家装中的运用

  14. 江苏省某高中学生体质现状的调查研究

  15. 中国传统元素在游戏角色...

  16. 浅析中国古代宗法制度

  17. 巴金《激流三部曲》高觉新的悲剧命运

　　

About

优尔论文网手机版...

主页：http://www.youerw.com

关闭返回