1。1。2  过渡金属硫族化合物

过渡金属硫族化物（Transition  metal  dichacogenides，简称 TMDs）因其层与层之间较弱的范德华作用力而可以将其剥离成二维层状纳米材料，且该材料具备类石墨烯物理化学性质而被誉为“无机石墨烯”。MoS2是典型的过渡金属硫族化物二维材料，相比石墨烯而言，虽然其电迁移率没有石墨烯出众，但是其有1。2ev～1。9ev的随原子层数变化的可调控的带隙7。此外，Yao8等人发现MoS2在块体状下不能产生光致发光现象，而在纳米级的薄片状态时能产生强烈的光致发光现象，说明MoS2在块体状时是间接带隙半导体而当制备成二维晶体材料时，其带隙变成直接带隙。MoS2这一特性使得其成为继石墨烯之后又一种在电学、光学、半导体领域具有十分重要应用前景的二维纳米材料9。论文网

MoS2二维材料的制备，大都是受到制备石墨烯的方法的启发，到目前为止，主要有6种方法：微机械剥离法、化学气相沉积法、胶体化学法、电化学法、液相剥离法及化学插层法10。而MoS2量子点材料的制备方法也大致在上述的六种方法之内。2014年，Deepesh等人11利用超声辅助液相剥离的方法制备了分散在MoS2纳米片片层之间的MoS2量子点，提供了一种相对简单、便捷能大批量制备MoS2量子点的方法，并且实验证明了这种混合纳米结构在析氢反应中能够起到很好的电极催化作用。Haifeng12等人同样利用超声液相剥离的方法,制备出了尺寸可控的MoS2量子点，并探索了MoS2量子点材料在生物标记、荧光成像方面的应用，表明了其良好的应用前景。

以MoS2为代表的二维晶体材料尽管表现出带隙可调的优良特性，而且具有很高的开关比（>108）,但是要真正地应用于电子器件、光电器件，其不是最理想的材料，原因在于其电迁移率不仅远小于石墨烯的迁移率，而且还小于硅的电迁移率，因此，有相关研究围绕MoS2和石墨烯复合来进行，期待将两者各自的优点结合起来13。当然，人们更希望能够发现一种能够同时兼具石墨烯和MoS2优点的新的二维晶体材料。

1。1。3  黑磷量子点（Black Phosphorus Quantum Dots）

在石墨烯和TMDs特性的启发下，人们花费了很大的力气去探索二维材料家族中的新成员，而黑磷则是最近两年来人们最典型的探索结果。研究表明，块体黑磷是由起皱的单层黑磷通过层与层之间的弱范德华相互作用堆叠而形成的，所以可以用机械剥离的方法成功地制备出单层和多层的黑磷（BP）纳米片14。更重要的是，黑磷的带隙受层数影响，随着黑磷的厚度从块状减小为单层，它的带隙宽度从0。3ev增加到2ev15。黑磷的可调控的带隙很好的在零带隙的石墨烯和宽带隙的TMDs(1 ev—2ev)搭起了桥梁，填充了中间的空白。基于黑磷的有趣的特性，黑磷纳米片已经应用在场效应晶体管（FET）中，预测在薄膜太阳能电池和气体探测器上也会有所应用。

尽管用机械剥离方法制备黑磷纳米片取得了不错的进展，但目前要大批量、高效率地制备黑磷纳米片或者黑磷量子点仍然是一个巨大的挑战，而且黑磷纳米片和黑磷量子点在通常情况下是不稳定的。Xiao Zhang16等人利用了一种简便的超声辅助液相剥离的方法成功地用块状黑磷晶体制备了黑磷量子点。制备得到的量子点横向尺寸是3。3～6。5nm，且在有机溶剂中有较好的稳定性。并把黑磷量子点和有机聚合物混合得到的混合材料（BPQD-PVP）作为活性层，制作柔性存储器件，其表现出具有超过6。0×104的开/关电流比和良好的稳定性，取得了较大的进展。SunZ。B。17等人同样利用超声液相剥离的方法制备出了平均粒径为2。6nm 的黑磷量子点，但他们发现黑磷量子点表现出优异的近红外光学特性（NIR），验证了黑磷量子点作为光热剂的可行性，表明黑磷量子点在生物医药方面的良好应用前景。文献综述