（4）密度。一般的来讲，体原料的密度会比薄膜密度大。

（5）时效变化。制成薄膜之后，薄膜的一些性质会跟着时间的推移而发生改变；等一定时间过去后或在高温条件下放置一段时间之后，这种变化会趋向平稳。

绝大多数的固体材料都可以被制做成薄膜，因为薄膜很薄，通常情况下只有几十纳米到微米级，所以要基底的支撑。薄膜和基底是连接紧密的，薄膜生长在基底上，彼此之间互相作用，薄膜中的一面附着在基底材料上，会受到约束从而出现内应力。薄膜极为重要的固有特征就是附着力和内应力，附着力与内应力的具体大小不仅仅和薄膜，基底的本质有关，还由制膜的工艺条件所决定。在单晶的基底上可以成长外延薄膜，在硬质合金和高速钢的表面上可以生长出硬质薄膜。

对于气相生长薄膜的形成，其大致上可分成形核和生长两个过程。当基材的表面成功吸附外来原子之后，相近的原子之间的距离缩小，被吸附到表面的原子在扩散在基底表面，相互产生作用，吸附原子会变得有序化，随后生成亚稳状态的临界核，然后核长大，形成了岛或者迷津的结构。岛的扩展接合会形成了连续膜，岛的接合过程中，岛会发生移动及转动，用来调整岛与岛之间的结晶方向。

临界核所含原子的数量，即临界核的尺寸，由原子间，原子与基底间的键能所决定，并且会因为薄膜制备方法的不同而受到影响，正常下只拥有2~3个原子。临界核其形态的二维三维的差别，会决定薄膜的成长模式。

薄膜一般有三种不一样的长大模式：

（1）岛状生长。通常的物理气相沉积属于岛状长大模式。这种生长模式一开始会在基材上生成临界核，跟着原子的不停的沉积，核在三维方向上生长，核变大且长高，成为岛状，并且还会呈现新的核继续的生长成为岛状。基材上的岛不停的长大之时，岛与岛会互相关联，组成岛之间的连接通道。在原子不停的沉积下，通道之间会发生横方向上的链接，组成连接起来的薄膜。这样形成的薄膜的特点是表面升沉很大，并且表面粗大。

（2）层状生长。覆盖度如果不大于1时候，会出现部分分立的且由单分子层所构成的临界核在基材上，当沉积再进行下去就会生成连续不断的单分子层，随后就在上述层膜上再次生成单分子层的粒子。覆盖率如果大于2的时候，会有两个分子层生出，同时还会出现分立的单分子层粒子在连续层之上。随着沉积的进行，如上述的单分子层一段一段的生成，成为有厚度的连续薄膜。

（3）层状加岛状生长。原子沉积不断的增长，不仅会生成单分子，同时会在连续层上生成岛。

    原子动能，蒸积速率，表面迁移率，粘附系数等等这些都会影响薄膜生成过程。这些不服都会影响到薄膜的生成的各方各面，使得形成的薄膜的许多不同。

薄膜的种类很多：

（1）从成分不同来分类，有金属，陶瓷，合金，半导体及其他高分子材料等，有的对于材料的纯度，化合物的构成，合金的比例有着很高的限制。

（2）从膜的结构分类，分为多晶，单晶，非晶态，超晶格，向着特定的方向选取向的，外延生成等等。

（3）从表面形态分类，有些材料对于表面起伏有着很高的要求。

（4）从尺寸上分类，几纳米至几微米的厚度上的差异，长度上也有从纳米到上万米的差异，一部分要求的是材料表面的尺码稳定，一部分要求对于厚度的严格掌控，偏差要小。

还有一种分类方法是按用途来划分：

（1）光学薄膜。包括反射膜，分光膜，增透膜，偏光膜，光记忆膜等。