毕业设计说明书中文摘要随着射频电路的发展,人们对开关性能提出的要求也越来越高。射频开关是控制电路中的关键部分,其开关性能尤为重要。

本文基于PIN二极管对S波段的单刀双掷开关进行了理论分析和ADS设计,设计中采用的PIN二极管是Skyworks公司的SMPA1320-079LF,本文选用串并联形式的开关结构来实现低插损和高隔离度,又通过增加一个并联的二极管来改善隔离度,并用电感替代四分之一高阻线来优化驻波比。仿真结果表明,在1。75—2。25GHz的频带内,插入损耗小于1 dB,隔离度大于30dB,驻波比小于1。2dB,各项技术指标均达到了设计要求。81472

毕业论文关键词 : 射频开关,PIN二极管,S波段,单刀双掷

毕业设计说明书外文摘要

Title    Designs of SPDT switch in S-band                     

                                                           

Abstract With the booming of the RF circuit,more and more demanding are required for the performance of the switch。 RF switch is an important part of RF control circuit, so its performance is very important。

In this paper, theoretical analysis and ADS design is based on PIN diode。 The PIN diode we used is SMPA1320-079LF of Skyworks company。 We choose series-shunt switch topology where low insertion loss and high isolation is available and reduce the insertion loss by adding a shunt PIN diode and use inductance instead of impedance of quarter wavelength to improve VSWR。 Simulation results shows that within 1。75-2。25GHz band, insertion loss is less than 1 dB and isolation is greater than 30 dB and VSWR is less than 1。2。 The technical indicators have reached the design requirements。

Keywords:RF switch  PIN diode  S-band  SPDT

目   次

1 引言1

1。1射频开关的国内外发展现状1

1。2 本论文的主要内容 2

2  微波理论知识3

2。1传输线基础3

2。2 PIN二极管和PIN开关的理论基础3

2。3 PIN管单刀双掷开关的电路原理 8

3  单刀双掷(SPDT)开关的设计 11

3。1 开关的技术指标11

3。2 PIN二极管的选择及模型11

3。3微带线基板材料的选择13

3。4 SPDT开关的设计与优化 13

4  总结与展望34

致谢  35

参考文献36

1  引言

在射频技术领域中,随着相控阵雷达,微波通信电子对抗,卫星通信以及微波测量等技术的发展,越来越多场合需要射频控制电路来对电路参量进行控制,而射频开关作为射频控制电路中的关键组成部分,在军事和民用领域中被广泛应用,它的主要功能是控制射频信号的通断和信号传输路径的切换。按工作方式来分,目前应用的射频开关主要有两种,一种是机电式开关,一种是半导体开关。一般来说,机电式开关的优势在于损耗低,耐功率值高,缺点是开关时间较长,属于机械类产品,使用寿命短。论文网

半导体开关一般采用微波固体器件来实现,相比于机电开关,它的开关速度更快,不过插入损损在相同情况下要更大一点。PIN二极管和MESFET管是半导体开关中常用的两个控制器件。随着MESFET管的开关技术越加成熟,它的开关时间要比PIN二极管更短,但电路相对复杂。而PIN二极管的开关电路设计更加灵活,再加上良好的可靠性和低廉的价格,使它在无线通信系统中的应用中占有很大的优势。

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