真空微电子三极管技术研究+文献综述
利用有限元法以及集中电流法对于圆锥形和楔形阴极的真空微电子三极管进行计算分析，进而又通过计算机对圆锥形阴极进行模拟，得到影响真空微电子三极管的各项结构参数，参考一定的资料，分析数据，讨论其关系，总结出一些对真空微电子三极管的实际设计和制作有一定的参考价值的结论，对真空微电子三极管的发展有一定促进作用，有了更深的理解。25861
毕业论文关键词 真空微电子三极管 圆锥形阴极 楔形阴极 阳极电流 场致发射应用
毕业论文设计说明书外文摘要
Title Study on The Technology of Vacuum Microtriodes
Abstract
In this paper,the development of the vacuum micro-electronics, vacuum tubes and the transistor were studied.The research and application of vacuum micro-electronics triode has been analyzed and summarized systematically,and I focus on the demand in the application analysis of the vacuum micro-electronics triode, the development problems and the possible solutions.
With the use of Finite method and the concentration of current law ,we have calculated and analyzed cone-shaped cathode vacuum micro-triode and wedge cathode vacuum micro-triode,and then by the computer to simulate the cone-shaped cathode vacuum micro-triodec,and we can obtain the structural parameters of the triode vacuum micro-electronics.At the same time,we can find out some data,analyze data,discuss their relationship,and summarize some valuable conclusions about the actual design and production of the vacuum micro-triodes. Through this processes,I can learn more about the development of the vacuum micro-triodes,and I hope it will have some stimulation in the development of the vacuum micro-electronics triode.
Keywords Vacuum MicroTriode Cone cathode Wedge cathode Anode current Fled Emission
目 次
1 引言 1
1.1 真空微电子学发展状况 1
1.2 真空电子管的发展状况 2
1.3 真空三极管发展状况 2
1.4 本论文的主要内容 3
2 真空微电子三极管理论基础 4
2.1 场致电子发射理论 4
2.2 真空微电子三极管的工作原理 5
2.3 真空微电子三极管理论模型 6
3 真空微电子三极管的计算 9
3.1 空间电势的计算 9
3.2 阴极尖端的表面电场分布 9
3.3 发射电流的计算 10
3.4 电子轨迹的计算 11
3.5 阳极电流的计算 12
3.6 空间电荷密度的分布 12
3.7 栅阴极间电容的计算 13
3.8 跨导的计算 17
3.9 内阻、电压增益的计算 17
3.10 输出功率的计算 18
4 关于真空微电子三极管的模拟结果 19
4.1 电子轨迹 19
4.2 发射体尖端曲率半径对阳极电流的影响 19
4.3 栅孔半径对阳极电流的影响 20
4.4 阳极-衬底间距对阳极电流的影响 20
4.5 栅极电压对阳极电流的影响 21
4.6 阳极电压对阳极电流的影响 21
4.7 器件半宽对阳极电流的影响 22
5 真空微电子三极管的研究应用 23
5.1 真空微电子器件的优点及应用 23
5.2 真空微电子器件的研究及应用 23
结论 25
致谢 26
参考文献 27
1 引言
1.1 真空微电子学发展状况
1986年，当Gray等人成功证明一个平面真空场效应晶体管后，真空微电子学这个学科才逐渐浮出水面。在这之后，大约两年，旧国际会议在美国的弗吉尼亚州威廉斯堡召开，为真空微电子学命名，并以这个学科名字作为会议名称，这类会议每年都会举行一届，各个国家的学者也陆续加入，交流各自的研究心得体会，以促进世界微电子学的快速发展。在2008年，我国举办了第13届会议，已有了将近12个国家参与其中，其中包括130多名专家学者，提出了在真空微电子学的发展中的问题，并找到解决方案，以促进共同进步。
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