砷化镓（GaAs）是III-V族的半导体材料，它比传统材料具有更多有点。例如：禁带宽，直接带隙，抗辐射能力强，消耗功率低，适应温度范围广等。由GaAs材料制作的器件因此也具有高频，高速，数字化处理，低噪声等很多特性。可以用GaAs材料制备发光器件按，微波体效应器，高速集成电路，半导体激光器，太阳能电池等。广泛用雷达，电子计算机等高科技中。在本论文中，我运用团模型研究了稀磁半导体GaAs掺杂Mn的电子结构和磁性，计算采用了基于密度泛函理论的离散变分方法。44530

二  文献论述

[1] 郭旭光，陈效双等.  (Ga, Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究.物理学报[J]，2004,5(53) :1516-1519.

    本文作者用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体（Ga,Mn）As中磁性杂质Mn分布无序性对其电子结构和磁性的影响。计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按磁序排列。Mn分布无序是空穴的局域性加强。总结计算结果表明（Ga,Mn）As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇论文网

[2] 陈余，关玉琴.  3d过渡金属掺杂GaAs的居里温度研究. 内蒙古工业大学学报[J]，2009 ,3(28) : 188-192.

     本文作者用Zener模型对GaAs掺杂3d过渡金属的居里温度进行理论计算。文中详细介绍了GaAs材料的晶体结构和基本参数；推导了计算居里温度的函数表达式；并计算了不同元素在不同掺杂浓度下的居里温度值，通过计算得到如下结论：3d过渡金属取代Ga位置时，掺杂Cr和Mn时居里温度较高，可以实现室温铁磁性，掺杂其余金属时居里温度很低；3d过渡金属取代As位置时除了掺杂V和Ni居里温度很低以外，其余均可获得室温铁磁性；取代As位置时合成的DMS材料的居里温度普遍高于取代Ga位置时的居里温度。

[3] 蔺何，段海明.  GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性. 中国科学[D]，2008 ,5(38):  513-522.

    本文作者用原子团模型研究了GaAs掺杂3d过渡族金属的局域电子结构和磁性，采用基于密度泛函理论的离散变分方法。计算结果表明这8种掺杂元素的磁矩先增大再减小，当Mn被掺杂到GaAs后，磁矩达到极大，且Mn的磁矩在掺杂浓度为14％时与实验符合很好，在包含两个掺杂原子的体系中，掺杂原子之间的耦合形式有明显的变化。对于不同的掺杂元素，掺杂原子和最邻近的As原子之间的耦合形式也有不同的变化。

[4] 陈启燊，雷天民.  GaAs第一性原理研究. 电子科技，2009 ,4(22) :69-71.

    本文作者为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质，计算和分析了GaAs晶体的能带结构，电子态密度，分波态密度，光学常数，所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法。研究证明，其具有广泛的应用领域。

[5] 关玉琴，陈余，赵春旺.  Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响. 功能材料[D]，2010 ,(41) :94-96.

    本文作者定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点，经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低，制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度 ，增加了制备高居里温度材料的难度；而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。

  [6] 刘芳芳，杨瑞霞等. 半磁半导体材GaMnAs,.  河北工业大学学报[J]，2002 ,6(31) :35-42.

    本文作者利用低温分子束外延技术制备的GaMnAs是一种新型的的半磁半导体材料，塔兼有磁性材料和半导体化合物的特点。系统地介绍了GaMnAs材料的结构，制备，居里温度，磁畴，磁矩，磁性质及几种多层异质结构，对于GaMnAs材料的应用，现状及前景作了简单的概括与分析。 Mn掺杂GaAs稀磁半导体文献综述和参考文献:http://www.youerw.com/wenxian/lunwen_45780.html