应力条件下石墨烯/硼氮原子层的性质

毕业设计说明书中文摘要中文摘要：随着科学技术的发展，人类对于新材料的要求也越来越高。得益于计算机模拟技术的快速发展，理论预言已经成为实验研究的先驱。在本论文中，我们从第一性原理出发，对石墨烯/硼氮原子层材料进行了详细研究。通过优化石墨烯/硼氮原子层在不同堆栈条件下的结构，找到石墨烯/硼氮原子层可能的稳定结构；通过总能计算和能带结构分析，找到影响石墨烯/硼氮原子层稳定性的因素，并分析其具有的基本电子结构特征。在此基础上，考虑到双层结构反演对称性的破坏，计算在应力条件下石墨烯/硼氮原子层材料的电子结构。除此之外，我们还将对这种材料的电子极化进行计算和分析，发现在应力情况下，其呈现出外力调控下的电荷极化性质，展示了一个新的可控可发展的自由度。86085

毕业论文关键词石墨烯/硼氮原子层应力条件能带电子极化

毕业设计说明书外文摘要

Title the properties of graphene-BN (G/BN) bilayer under the pressure

Abstract With the development of the science and technology, people demand a lot for new

Materials。especially with the development of the computer technology,The theory have become the beginning of study。 Our study is based on theory。 On this article, we study graphene-BN (G/BN) bilayer from the first principles method。 We calculate the stability of graphene-BN (G/BN) bilayer with different structure mainly,and find the most stable structure。Then we study the electron density。 Based on it, we study the electronic structure of graphene-BN(G/BN) under the pressure based on The destruction of the double-layer structure inversion symmetry。 Besides, we calculate the band and the electron density。We find the material have the properties of electron density if under pressure。 It have a new Degrees of freedom and it’s under control。

Keywords graphene-BN (G/BN) bilayer pressure band electron density

1 引言（或绪论）… 3

2 背景介绍 4

2。1 半导体材料 4

2。2 表面工程 4

2。3 石墨烯 5

2。4 其他类似结构的层状材料 5

2。5 本章小结 6

3 理论介绍 7

3。1 引言 7

3。2 薛定谔方程 7

3。3 第一性原理 7

3。4 能带理论 8

3。5 布洛赫定理 8

3。6 半导体能带理论 … 9

3。7 赝势 9

3。8 本章小结 10

4 软件包介绍 … 11

5 石墨烯和硼氮原子层材料 12

5。1 单层石墨烯的缺陷 12

5。2 石墨烯和硼氮原子层的层状结构 12

5。3 优化结构及分析结构 … 13

5。4 应力条件对能量和能带的影响 … 14

5。5 应力条件对能隙的影响 … 15

5。6 电子密度 16

5。7 讨论 19

结论 20

致谢 21

参考文献22

1 引言（或绪论）

近些年随着物理学的发展，人类的生活发生了翻天覆地的变化。尤其是在电子领域，人们日常所用的手机、电脑、移动硬盘等等无不得益于硅基的半导体工艺的快速发展。其实半导体技术的发展也是有一定规律可循的，早在1965年，当时一家半导体公司的工程师摩尔，撰写了一篇文章，在文章中他提出集成电路芯片的性能每翻一番需要的时间大约是在18个月到24个月。在过去的几十年里，“摩尔定律”一直主导着半导体乃至微电子领域的发展。然而，随着现代科学技术的快速发展，传统的硅基半导体工业即将导致摩尔定律的失效。众所周知，当现在常用的半导体材料不断微型化会，面临着量子限制效应以及边界效应，这将导致半导体材料的本身物性的变化。当然，新的纳米尺度的材料制备本身也面临着巨大的障碍。此外，当这些器件集成化以后，其热学问题也不容忽视。因此，传统硅基的半导体产业面临着难以克服的困难。论文网应力条件下石墨烯/硼氮原子层的性质:http://www.youerw.com/wuli/lunwen_101996.html