矩阵中的主对角元素为裸的电子色散关系,计算中取如下的电子色散关系。
其中t0为化学势,t1至t5为拟合费米面模型的参数,根据已有的理论基础[13],其理想的取值为:t1=-0。5951;t2=0。1636;t3=-0。0519;t4=-0。1117;t5=0。0510(此时拟合的费米面最接近于ARPES能谱实验),本文默认t0=94。5meV。Vk,x和Vk,y分别为x、y方向上的散射势,表示为如下形式:
(3)
其中V0为调制电位,在不同的参杂情况下其值会随之改变。
对于费米面模型的计算步骤,一般采用格林函数G(k , ω)公式(4)对已知的哈密顿量进行计算,即:
其中G11为计算后矩阵中第一对角项的值,Г表示一个简易的弹性能级扩展,I为单位矩阵。下标“11”表示矩阵中的第一行第一列的元素。利用已经得到的格林函数可进一步计算得出谱函数A(k , ω)。
高温超导赝能隙的唯象研究赝能隙的光电导特性研究(3):http://www.youerw.com/wuli/lunwen_82876.html