摘要： 在不同温度下，采用脉冲激光沉积方法在GaAs基底上镀Co掺杂的的非晶碳膜（a-C:Co），制成a-C:Co/GaAs/Ag光敏电阻器件。再利用拉曼光谱、荧光光谱和霍尔效应检测其特性。研究结果表明由于反向串联的a-C:Co/GaAs光敏二极管和GaAs/Ag肖特基结的在有无光照下开启电压的不同，以及Co纳米颗粒形成的表面等离子体激元的共振吸收，该a-C:Co/GaAs/Ag光敏电阻器件有巨光敏特性。74178
毕业论文关键词：GaAs，非晶碳膜，拉曼光谱，霍尔效应，荧光光谱
Abstract：Co doped amorphous carbon films were deposited on GaAs substrates at different temperature by PLD to form a-C:Co/GaAs/Ag photosensitive resistance device。 The various characteristics of a-C:Co/GaAs/Ag photosensitive resistance device were tested by fluorescence spectrum, Holzer effect and Raman spectra。 The giant photosensitivity of the a-C:Co/L-GaAs/Ag heterojunctions is ascribed to the difference of turn-on voltage in the series-opposing connected a-C:Co/L-GaAs photosensitive diode and L-GaAs/Ag Schottky junction with/without light illumination, and also to the surface plasmon resonance absorption of Co nanoparticles。
Keywords: GaAs，amorphous carbon thin films，Raman spectra，fluorescence spectrum，Holzer effect
目 录
摘 要 1
Abstract 2
目 录 3
第一章 光敏电阻 4
1。1 光敏电阻 5
1。2 光敏电阻工作原理 5
1。3 光敏电阻的参数 5
1。4 光敏电阻的种类 5
第二章 光敏电阻的制备 6
2。1 制备技术 6
2。2 真空热蒸发法 7
2。3 具体实施方式 8
第三章 光敏电阻的检测与分析 9
3。1 测量原理 10
3。2 数据分析 10
参考文献 15
致 谢 17
第一章 光敏电阻
1。1 光敏电阻
光敏电阻又称光敏电阻或光导管，是一种基于内光电效应的半导体器件，常用的制作材料为硫化镉，硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。其独特的光电导性使其在各个控制领域有着极其广泛的应用[1-3]。
1。2 光敏电阻工作原理
光电效应分为外光电效应和内光电效应。光敏电阻是利用半导体的内光电效应制成的光敏元件。内光电效应就是指半导体材料在光线辐射作用下改变其电导率的一种光电效应。当内光电效应发生时，光敏电阻吸收光的能量使部分价带中的电子跃迁到导带，从而产生自由电子和自由空穴，使其导电性不断增强，电阻值下降。光照停止后，自由电子和自由空穴逐渐复合，电阻值又迅速上升[4-6]。基于内光电效应，光电导的上升和下降有一定的弛豫时间，反映了光生载流子的积累和消失过程。这段弛豫时间有称为响应时间。 钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法:http://www.youerw.com/wuli/lunwen_84690.html