为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性差的问题,在分析了传统光助电化学刻蚀装置中存在的不足的基础上,赵志刚[12]等设计并制作了一套新型大面积光助电化学刻蚀装置。通过特殊设计的花洒式溶液循环机构和水冷隔热系统,解决了大面积硅片在长时间深刻蚀过程中出现的溶液升温和气泡堆积的问题。借助这套装置能够实现127 mm ( 5 inch) 及以上大面积硅片的均匀深刻蚀。最终在整个127 mm 硅片上制作出了各处均匀一致的硅深槽, 深度达60μm、深宽比在20以上。
2013年，Lianwei Wang[13]等人利用光电化学刻蚀法制备了大尺寸P型硅微通道板，并对光电化学刻蚀过程中背面照度和温度对P型硅微通道板制备的影响进行了研究。实验表明适当的光照和低温能很好地提高刻蚀质量，使得硅微通道表面和侧壁都更加平滑，形貌更加规整，同时通道的长宽比可以达到40。
2013年，Wenchao Zhang[14]等人通过原位化学反应法在硅微通道板(Si-MCP)中成功装填了三文有序Ni/苦酸含能薄膜。其中Si-MCP通过光电化学过程得到，采用无电电镀法在Si-MCP侧壁得到Ni薄膜，最后由Ni、苦酸的原位化学反应制备Ni/苦酸Si-MCP。实验结果表明，Ni/苦酸能放出大量的能量与气体产物，很好的解决了有机含能材料和MEMS系统相结合的问题。图1.4为Ni/苦酸Si-MCP 的表面，断面SEM图。  
  1.4 Ni/苦酸Si-MCP的SEM图 （a）表面 ，(b) 断面
Yadong Yin, Zhi-Yuan Li[15]等人使用各向异性湿法刻蚀制备了二文(2D)方形锥体有序排列的硅模板，然后在Si(100)基底的表面制备大范围胶晶球，且使晶体的(100)面与支撑基底的表面平行。这种方法已经应用于制备几平方厘米大的(100)平面的胶晶球(D> 250 nm)。除了硅模板的制造之外,有类似功能的聚合物模板也能复制成型。制胶晶球的晶体取向的能力将极大地丰富了我们研究它们的属性。图1.5，1.6分别为刻蚀的锥形硅模板和(100)面胶晶球SEM图。
     
1.5各向异性湿法刻蚀硅模板 1.6基于硅模板的胶晶球(100)面SEM图
A.Uhlir,JR[16]和I. Teedinck, P. W. Mertens, H. F. Schmidt[17]等人在硅的形成以及使用光助HF酸蚀刻电镀等方法制备硅晶片方面有自己独特的发现。 三维有序多孔金属氧化物的研究现状(2):http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_11974.html