自从1958年美国成功发射人造卫星“探险者一号”，美国就由探险者号系列卫星上的宇宙射线和高能粒子的探测器发现了围绕地球的高能粒子辐射带，并起名为范艾伦带（Van Allen Belt）。因为半导体器件在高能粒子（质子、电子、中子为主）的照射下性能会显著下降，所以对这种现象进行实验研究就急迫而且必要。Denis J.Curtin和Richard L.Statler通过研究1964-1974 年间高能粒子照射硅太阳能电池实验，对不同能量电子和质子照射硅太阳能电池的实验进行分析 。Zazoui等也同时研究了多结硅太阳能电池在宇宙环境中因辐射性能下降的问题 。1996 年，L.B.Garlina等研究了激光对镓铯太阳能电池的损伤效应 。1998 年，R.J.Walters分析了InP/Si、InGaAs/GaAs太阳能电池在高能电子、质子辐射下的损伤效应 。2001 年L.Jasenek等分析了在高能粒子辐射太阳能电池产生的退火效应 。2005 年，C.Baur等人分析了太阳能电池在高能电子辐射下，EQE(External  Quantum Efficiency)、BOL(BEgin  of  Life)、EOL(End  of  Life)等参数的变化 。2008 年， Yang Li等分析了太阳能电池被激光辐射产生破坏以及恢复效应 。26079
  国内自上个世纪 90 年代开始，也慢慢进行了相关方面的研究。2000 年，刘峰等分析了InSb材料在激光辐射下的熔融状况和激光参数方面的关系 。2003 年，林理彬等分析了多晶硅太阳能电池在电子不同能量辐射的性能变化 。2004 年，牛燕雄等分析了激光照射半导体材料产生的损伤效应并研究了其破坏的临界值 。彭玉峰等分析了激光对各种光学物质，特别是激光损伤单晶硅的效应 。2008 年涂洁磊等用电子辐射GaInP/GaAs/Ge等太阳能电池，且对其稳定设计 。田光磊等在 2005 年研究了单晶硅物质的抗损伤性能 。1994 年，Ray K.Lain等人研究了镓铯和硅太阳能电池在激光辐射下的损伤 。2003 等年，李文煜等人对硅太阳能电池在激光辐射下的损伤理论分析并且进行实验探讨 。朱永祥研究了硅太阳能电池在 3.8μm激光辐射下的效应和破坏阈值，并进行了热分析 。2007年，张梁对激光辐射半导体材料损伤过程数值模拟,解出半导体材料融化的温度场模型和熔融的临界值等 。2009年，徐立君, 张喜和, 蔡红星等在概述激光诱导光学元件损伤的判断方法基础上提出验证了根据响应度变化判断探测器损伤的观点 。论文网
  国外的研究分析了硅太阳能电池在激光辐射下的性能与激光的脉宽、波长、太阳能电池材料损伤，表明了何种状态下激光辐射硅太阳能电池的性能可以等同为连续激光辐射的状态。国内的研究则指出波段外激光辐射太阳能电池的光电效应不显著，以热效应为主；在激光功率比较小的状态下，太阳能电池效率下降主要是因为温度变高，并且这种改变是可逆的；但是当激光功率非常大时，很短的时间内就可以烧蚀电池材料。相同的地方是，国内外关于毫秒激光对硅太阳能电池的损伤效应的研究较少。 激光对硅太阳能电池损伤效应的研究现状:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_20132.html