现阶段光掩模的要求在高精度工艺的要求越来越高。精度为0.065μm的光掩模成为研究重点。我国开始制作光掩模于60年代中期，晚于国外5-6年，之后通过研究和学习，通过计算机辅助设计，基本有了光掩模设计成型模板，现在主要实现了低精度要求硅晶体的批量生产，国内比较成熟公司有上海凸版光掩模公司。而国外主要通过电子书曝光进行光掩模批量生产，国内的很多高档掩膜都是国外引进的。其中曝光设备的光学接近效果校正（OPC）的复杂程度越来越大，对于设计和生产掩膜的要求越来越高，因此研究技术的精度显得越来越重要[7]。26422
在FDTD算法方面，在微电子软件越来越复杂以及尺寸越来越精确的大氛围下，研究算法回到了最原始的思考角度，FDTD算法就是在麦克斯韦方程基础上进行时间和空间的网格散射处理，在算法的速度和精度上都有了一定程度的优势，并且应用范围极广泛，基本可以用于电磁场的所有问题。论文网虽然如此，现阶段的研究仍然缺少成套的软件分析包[8]，国内外针对此种算法进行着各个研究方向的深度分析。现阶段主要研究层面是算法的截断边界条件，以此大大提高算法的精度。现阶段国内外对算法进行优化配置处理，提出了网格精细化和自动模拟的结合，比如提出了结构化网格、局域非结构化网格以及全域非结构化网格等[8]，为计算机图像学、电磁场分布研究等方面都提供了很大的帮助。 光掩模国内外研究现状:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_20608.html