2004年，Xu等人采用基于VLS机制的化学气相沉积法制备了Cu掺杂的ZnO纳米材料，他们以Cu作为催化剂生长ZnO，在ZnO生长的过程中Cu被掺入到晶格中，之后他们采用PL及PLE技术研究了所获材料的光学性能，发现Cu取代Zn后，会在在导带下约0.17eV处引入一个施主能级，同时在价带上约0.45eV处形成受主能级，Qiu等人通过理论计算与高分辨能量损失谱研究了Cu在ZnO单晶中所形成的能级状态，发现Cu在ZnO中以三种不同的形式存在，会引入一个处于导带下88meV的浅施主能级以及一个深受主能级，然而通过实验研究，人们发现Cu掺杂ZnO材料确实可以实现p型导电，如前面所提到的Selim通过一种核转变的方法将Cu掺入ZnO中，并用红外线光谱证实了Cu确实被掺入到ZnO晶格位置，并且预测Cu可以大大降低背景电子浓度，实现p型掺杂，以及前面也曾提到的Pan等报道的通过S与Cu元素的共掺使得Cu在ZnO中从一个深受主变为浅受主，实现了ZnO的p型掺杂，且具有较高的空穴浓度，此外，2008年，Kim等提供了更加有力的实验证据，他们采用等离子体辅助分子束外延的方法制备了Cu掺杂ZnO的p型层，并将其与n型的H：SiC材料制备了异质结LED，实现了蓝紫光的发射，并且指出其样品2.43eV与2.54eV处的蓝、绿两个发射峰，可能分别对应于晶格中的Cu+与Cu2+，但也可能是由于氧空位Vo与锌空位Vzn之间的吸收跃迁引起的。41193
Cu对研究ZnO体系的磁学性能来说意义重大，因为Cu以及Cu基的化合物CuO,Cu2O都是不具有铁磁性的，因此其对研究ZnO体系铁磁性的来源不会产生干扰，相反，许多学者认为在Co及Mn掺杂的ZnO体系中其表现的铁磁性可能是由Co或Mn的第二相偏析有关。论文网
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