在制作工艺方面，国际上普遍采用的是薄膜和厚膜工艺。国外较先进的方法是前期分析，仿真，制作模板，后期利用全软件控制，智能无人流水线作业，单模块集成，一次成型，以免去高昂的人工费用。而且，由于现在的微波应用对于体积的要求是越小越好，因此，如何减小放大器的体积也成为现在微波技术的关键之一。目前，国际上流行的做法是提高集成度以减小电路尺寸，比如，随着半导体工艺的飞速发展以及厚薄膜工艺的应用，人们大多采用高度集成的单片集成电路(MMIC)的形式，或者是利用共晶微组装工艺。对于低噪声放大器，随着要求的提高，人们己经不满足于利用模块来实现低噪声的指标，现在比较通用的做法是采用极低噪声系数的场效应管或者是场效应管芯亦或是高电子迁移率的晶体管来实现噪声参数的指标。当然，采用哪种工艺和工作频带以及半导体工艺的发展状况有密不可分的关系，不管采用何种制作工艺，整个低噪声放大器的体积和管子或管芯的体积密切相连。全自动控制生产线是一种技术含量比较高的生产线，需要比较成熟稳定的底版、较高的集成度和强大的自我修正功能。但是，只要以上三个关键的环节中某一个出现问题，都不会生产出质量较好的产品。研制全自动的生产线，这和国外发达国家，特别是欧美等地人力资源短缺、劳动力价值高的实际情况分不开的。而在共晶工艺中，指标的最后调试部分是需要人工来完成的，在频率的高端，由于许多寄生参数的影响，某些要求利用人工调试，使产品稳定性、可靠性得到保证。因此，全自动生产工艺和共晶微组装半自动工艺是各有优缺点的。

1.3  本课题研究内容及工作安排

本课题主要研究内容：要求利用微波场效应管以及平面微带电路结构的来实现K波段的低噪声放大器，电路应具有小体积，集成化的特点。具体要求如下：

（1）该K波段场效应管低噪声放大器工作频率为19~21GHz，文献综述

（2）该K波段场效应管低噪声放大器工作频率噪声系数小于2.5dB，

（3）该K波段场效应管低噪声放大器工作频率增益不小于30dB。

（4）要求通过对微波EDA软件ADS或ANSOFT的学习，运用微波固态电路专业知识，确定总体实现方案。

（5）完成电路设计、版图设计和仿真验证。

本文的主要工作安排：

一、 低噪声放大器的应用以及国内外的研究进展情况。

二、 本章主要介绍了设计低噪声放大器所要用到的理论基础及参数分析。

    三、 进行电路原理的设计，选择合适的元器件。

四、 主要研究了ADS2008仿真软件的使用方法，以及通过ADS仿真设计的电路。

2   低噪声放大器的基本原理

低噪声放大器， 噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。

2.1 低噪声放大器的主要技术指标和定义

2.1.1 噪声系数与噪声温度

一个微波放大器，即使在没有输入信号的情况下也能测到微小的输出信号。这种微小的输出功率称之为放大器的噪声。