国外的研究情况1957年，美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管，并于1958年将其商业化，1982年日本日立公司首先研制成功2.5 kV/1 kA的GTO。目前生产商大部分提供的GTO都是额定开关功率高达36 MVA( 6 kV/6 kA )的高压大电流的GTO。我们知道的典型的传统GTO[5]的关断增益仅为3~5，但是为了折衷晶闸管的导通、开通以及关断特性， GTO关断期间 只有限制在500~1 000 V/μs才可以减少GTO的不均匀关断引起的“挤流效应”。因此，之前的电路被体积大、质量大、价格昂贵的吸收电路所取代。这样的缺点是门极驱动电路较为复杂，而且需要较大的驱动功率。但是，人们对GTO 颇感兴趣的原因在于它的高阻断电压、高导通电流密度以及阻断状态下高的 耐量。到目前为止, 传统的GTO仍然被应用于大功率牵引、工业和电力逆变器等方面，而它也作为最为普遍的门控功率半导体器件。至今，GTO的最高研究水平为6英寸、 以及 。这种GTO通过少子寿命控制技术来减少导通电压与关断损耗两者之间的矛盾。GTO会在许多应用领域逐步取代SCR的原因是在于它具有门极全控功能。近期很有可能开发出 的GTO [5]来满足电力系统对1 GVA以上的三相逆变功率电压源的需要，而且有可能开发出一种30多个高压GTO串联的技术，来使电力电子技术在电力系统中的应用上再上一个新的台阶[6]。68541

2  国内的研究情况

晶闸管参数测试系统设计开发概念提出来以后，国内学者也进行了大量的研究。

何小平、郭帆研究出了强触发方式对晶闸管导通特性的影响。他们主要是通过两个方面进行分析的包括载流子数密度和载流子的传输过程。他们考虑到MOSFET的快开通特性和通流能力，设计了晶闸管的强触发电路，通过晶闸管开通特性实验平台研究了晶闸管触发条件以及工作电压这两个因素与晶闸管开通的时间的关系。实验结果表明：晶闸管的开通时间很大程度上取决于晶闸管的触发方式和工作电压，如果是高的工作电压那么久可以减小晶闸管的导通时间[6]，强触发方式可以缩短延迟时间，他们通过改变触发方式和提高工作电压这两个条件来有效地改善晶闸管的导通性能。

张建华、王广庆研制出了晶闸管参数智能测试仪，他们通过GP-IB标准接口，用微处理器，测试晶闸管的主要参数[9]。晶闸管的参数智能测试仪主要包括11个部分：数字控制部分、GP-IB标准接口、打印机控制部分、A/D转换部分[10]、10位D/A转换部分、前面板键盘及显示、多路转换开关、可控高压发生器电路、可控电源电路、大电流脉冲发生器、整机电源。

黎步银，周东祥等人设计了一套自动测试系统，用智能万用表和上位机通过RS-232C串行接口来实现操作。通过并行打印接口控制外围接口电路，从而实现电压程序控制及通道自动转换， 最后对热敏电阻伏安特性曲线的自动测试[13]和自动数据处理系统。论文网

如图1.1所示，为现有闸流管测试仪的原理图,其测试方法是： 端接入12V直流电源，调节电压至3V，然后调节电位器W1至0，将电位器W2调节至最大位置以后,按照闸流管的极性将电位器插入到测试插孔中,与此同时，缓慢向小调节电位器W2一直到闸流管触发为止。这时电流表显示数据即为晶闸管的触发电流值，而晶闸管的触发电压值可通过电压表1读出来，晶闸管的导通管压降可由电压表2读出来。紧接着调节W2至0，不断缓慢调节电位器W1（最小向大调节），一直持续到闸流管由导通到截止，这时候毫安表所显示数据即为晶闸管的维持电流。

当雷管起爆的时候，通常会有几个安培甚至数十安培的电流流经闸流管。而现在我们从闸流管测试仪的电路图中可以看出来晶闸管的导通压降是在其导通电流不足5mA的条件下测试出来的，这样一来晶闸管本身的导通压降要远远大于用现有测试仪测得的值。试验中我们测试了某引信的起爆电路，其测试结果表明：储能电容器两端的电压为14.22V的时候，雷管两端的最大电压为9.51V（测试时用4.7 的电阻代替雷管）；当储能电容器两端的电压为13.59V时，雷管两端的最大电压可达到9.06V；当储能电容器两端电压为13.28时，雷管两端的最大电压为8.75V。由此可见，在雷管起爆的瞬间，闸流管两端的导通压降会不止1V，而且同时闸流管的导通压降会随着储能电容器两端的电压的不断增大而增大。因次用现用的闸流管测试仪并不能准确应用雨引信体的测试系统中。这种方法测测试的导通压降并不是晶闸管工作时实际的导通压降。 晶闸管国内外研究现状综述:http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_77117.html