(c)250 nm电容放电曲线 (d)250 nm电爆过程
图1。5 Al/NiO复合薄膜电容放电曲线与电爆过程
闫裔超[14]研究了调制周期对Al/NiO-MICs的影响,在40 V、47 μF条件下对调制周期为250 nm与1000 nm的Al/NiO复合薄膜进行电容放电,并采用高速摄影记录电爆过程,结果如图1。5所示。与250 nm的Al/NiO复合薄膜相比,1000 nm的Al/NiO复合薄膜峰值电压与峰值电流时间明显提前;高速摄影图像上出现最大的火焰时间将近提前了一半。结合热扩散实验结果[15],他认为调制周期越小,界面层数量增加,热阻增大,热扩散时间越长,因此出现峰值电压与电流的时间会延长。
含能复合薄膜国内外研究现状综述(2):http://www.youerw.com/yanjiu/lunwen_84845.html