自从SIW技术被提出，就开始被应用于微波电路的各个领域。由于其高品质因素、低插入损耗和易于平面电路集成的特点，基片集成波导（SIW）技术已经被成功应用于滤波器的设计。SIW带通滤波器的研究主要包括以下几个方面：78593

1  SIW双模带通滤波器

金属波导双模滤波器因具有高谐振器Q值和适应高能的能力而有优良的性能，但是它们不易与微波平面电路合成。采用SIW的滤波器的主体为一个较大的谐振腔，当腔内有两种振动幅值相同但相位值相差为180°的电磁波通过时，既能在通带外附近的阻带内产生一个传输零点，从而增强滤波器的频率选择特性[1]。

通常为实现双模矩形波导滤波器，需要切掉角或者加入调节元件。通过使用各种形式的输入输出馈线和槽线与基片集成波导相结合，即可在一个空腔内不使用调节元件来产生两个模。文献[2]通过在双模SIW蚀刻两条不等长的槽线使SIW腔受到干扰，产生了两种模和，从而在低于通带的阻带内产生了一个传输零点，增强了滤波器的频率选择性。其结构示意图如图1。1所示。

文献[2]的SIW双模带通滤波器

2  SIW交叉耦合带通滤波器

交叉耦合结构通过在不相邻的谐振器内引入耦合，产生交叉耦合路径，在通带两侧各产生一个传输零点，以增强滤波器的带外抑制能力。相比于传统的SIW滤波器，SIW交叉耦合带通滤波器的品质因素更高，体积更小，具有更高的带外抑制性，性能更优良。文献[3]设计了一种源和负载耦合的SIW四阶交叉耦合通带滤波器。其带外有四个传输零点，带内最小插损约1dB。

3  SIW宽带带通滤波器论文网

SIW具有高通传输特性，而周期性的电磁带隙结构和缺陷接地结构具有低通特性，将两种结构相结合既能产生宽带带通滤波器。文献[4]在SIW表面蚀刻S形槽线，所实现的滤波器相对带宽为10%，回波损耗小于-20dB，带内插损小于0。4dB，改善了阻带特性。其周期结构单元如图1。2所示。

  S形槽SIW滤波器周期结构单元

在[5]中，提出了一个生产加工较为复杂的超宽带SIW带通滤波器，其相对带宽为65%。在[6]提出里一种宽带FSIW滤波器结合带状线谐振单元，其相对带宽为77%，其插入损耗为2dB。在[7]中提出的宽带半模基片集成波导（HMSIW）滤波器的插入损耗为2。2dB，且电路尺寸太大。

4  折叠基片集成波导滤波器

折叠基片集成波导（FSIW）为一种双层的SIW，其宽度近似SIW的一般而厚度为SIW的两倍[8]。FSIW的结构通常由三层金属板中间加载介质层构成。这种滤波器能有高的带外抑制能力并且减小了滤波器的尺寸。文献[9]中提出的对角线上有通孔的双层双模滤波器具有四个传输零点，并实现了大幅减小滤波器尺寸。其回波损耗小于-20dB，插损近似于1。33dB，具有良好的带外抑制性。

5  SIW滤波器的小型化

尽管基片集成波导滤波器有很多优点，由于它们尺寸较大，在小型化微波设备中使用它们受到了阻碍。因此，需要应用小型化技术来减小SIW滤波器的尺寸，同时保持这些高性能的特点。为了进一步实现小型化，半模基片集成波导（HMSIW）和四分之一模基片集成波导（QMSIW）被应用于滤波器设计。HMSIW和QMSIW继承了SIW的传输特性和截止特性，因此能用于更为小型化滤波器的设计。文献[10]中通过采用指型槽和在SIW腔内嵌入金属片等方式，并将这些方法应用于HMSIW和QMSIW中，最终分别实现90%和95%的小型化程度