2013年，Hui Wang,Zhifeng Shi和Baolin Zhang等[15],进行了 n-ZnO/i-NiO/n-GaN同型异质结二极管发光性能的研究。通过金属有机化学气相沉积（(MOCVD）成功制备了在n-GaN/蓝宝石衬底上的n-ZnO/i-NiO/n-GaN同型异质结二极管。通过电流-电压（I-V）测量结果显示典型的整流特性的导通电压为2。5V。在室温下观测到EL光谱中紫外发射峰约为363nm。紫外-可见光发射强度比的超线性曲线证明了高紫外光提取效率。

2015年，Deihui Li,Rui Cheng和Hailong Zhou等[16]，通过研究层状过渡金属二硫属化物，研究了在多层MoS2中电力-场致显著的电致发光。实验通过在p 型GaN和n型MoS2电插入中间电层Al2O3，发现GaN-Al2O3-MoS2和GaN–Al2O3–MoS2–Al2O3-石墨烯垂直异质结可以创建优良的整流阳离子行为，电致发光的研究表明在多层MoS2中突出的直接带隙激子发射存在整个垂直结区域。重要的是，在多层的MoS2中观察到的电致发光效率相当或高于单层。这种显著的电致发光可以归因于电力-场致载体在K空间从最低能量点（间接带隙）再分配到更高的能量点（直接带隙）。电力-场致发光一般是其它层次材料，包括WSe2 并能开辟以过渡金属二硫属化物为基础的光电设备的新途径。

本次毕业设计实验过程，我们计划第三代宽带隙半导体p型GaN和n型ZnO形成的pn异质接结中插入中间层BN薄膜，从而形成p-GaN/i-BN/n-ZnO异质结。氮化硼(BN)是非氧化物陶瓷材料，通常有六方、斜方、菱方三种晶型结构[17](如图1。2。1所示）。其中六方氮化硼晶格结构、成键性质与石墨烯类似,它与石墨稀的晶格失配度仅有1。7%，其带隙达5。 97eV，并具有原子级平坦的表面粗糙度，因此氮化硼可作为石墨烯优良的隧穿介电层[18]。随着石墨烯发展，氮化硼也必将成为研究的热点。基于BN薄膜的制备方法以及十分成熟，BN是良好的绝缘体，实验将通过生长控制相应的参数来纳米BN薄膜其厚度和形貌，让其作为p-i-n异质结的中间层调控载流子的传输，BN薄膜通过调控GaN与ZnO之间的电子与空穴传输，实现p型氮化镓中的空穴注入到n型的ZnO中，而n型的ZnO中的电子被阻挡，无法注入到氮化镓，从而实现二维材料ZnO的发光