高频变压器原副边线圈阻数的计算如下：

（1）原边匝数的计算

VS ------ 系统输入的最小电压，取 250V；

ton ------ 一个开关周期最大导通时间，取 25 s  ；

∆ B ------ 磁感应密度增量，∆ B =0。25T；

Ae  ------- 磁芯有效面积，为 2×536mm²。

（2）副边线圈：

根据前面给出的数据，DC/DC 输出电压要求≤400V，可取 360V。副边整流 滤波后输出平均值为：

V 'S =VDC +2VD +V0 ×10%=360+1。4+36=397。4V （2。3）

副边线圈匝数为：

一般情况下取 50 匝，这是为了防止变压器出现饱和现象，此时总变比为 1:2。

图 2。3 变压器线圈分布

使用双副边的变压器可减半整流二级所管承受电压，延长使用寿命。

2。4 主要器件型号的选择

表 2。1 给出了本次论文的部分元器件的参数：

表 2。1 主电路主要器件参数表

组成单元 参数描述

前级逆变功率管 IXGH30N60B2D1(30A600V) 整流二极管 DSEI30-120(30A1200V) 后级逆变功率管 IXGH30N60B2D1(30A600V)

PV 母线电容 1000uF/250V,2 个串联 前级逆变直流母线电容 1000uF/250V，2 个一组串联后再两组并

联

2。5 两级式控制结构分析

本次论文采用 TMS320F2812 作为控制芯片，来实现对逆变器的控制，它性 价比比较高，功能强大，在世界上获得普遍应用。

这种芯片功耗比较低，并且使用先进的静态 CMOS 技术，所以其主频可以 高达 150MHz，时钟周期是 6。67ns，Hash 编程的电压是 3。3V；可以实现在线编 程，因为其片内有 128K×16 位的 Flash 存储器；具有 EVA 和 EVB 两个事件管 理器，而且还有设置单元来死区时间进行编程，具有 6 个捕捉单元，有 4 个 16 位的通用定时器以及 16 个 16 位的 PWM 通道等；该芯片在流水线上转换一周所 用的时间最短只有 60ns，而在单通道上转换一周最快可达 200ns。

2。6 前级 DC/DC 零电压零电流控制

本文前级使用的 DC/DC 变换电路，相比于一般传统的电路，其使用的开关 管较多，这样会增大开关损耗，导致系统效率低下。所以，为了避免这种情况的 发生，本章中前级全桥电路采用移相零电压零电流的脉宽调制控制。电路结构如 图 2。4 所示。来*自-优=尔,论:文+网www.youerw.com

 ZVZCS 控制结构图

根据图 2。4 可以看出，高频变压器代表 T，而 N1 是高频变压器的原边线圈， N2、N3 是高频变压器两个副边线圈，这是采用了三明治绕线法，这么做可以减 小变压器的漏感 L1K ； GT1 、 GT2 、 GT3 、 GT4 是四个功率开关管，它们并联有 4 个二极管； Lb 是外加饱和电感；C1、C3 是并联电容，可以实现零电压开关；C7 是隔直电容，上面提到的两个滞后臂 GT2 和 GT4 的零电流开关就是通过 C7 来实 现的；D1~D8 是整流二极管，L1 为滤波电容， GT2 和 GT4 的是零电流开关通过 C7 实现的。 假如全部器件都是理想的，隔直电容和输出滤波电感都足够大