LIGA技术首先通过X射线深度光刻工艺，对厚光刻胶（PMMA）进行曝光和显影，形成具有高深宽比的微结构，然后通过微电铸工艺对上述具有高深宽比的微结构空隙进行填充，实现精细器件金属成型，并可以进一步制作成微型模具。微复制工艺使用微型模具，通过注塑成型或者模压成型实现批量制造微结构（与光刻胶结构相同）。如图2-9所示。

图2-9：LIGA技术工艺流程

2。4 MEMS磁阻传感器制作工艺流程

本产品在前期研究和调研基础上，其实施开发路线主要包括几个步骤（如图2-10所示）：

（1）利用多靶磁控溅射系统在衬底上制备50nm的金属Cr/Cu种子层，作为底层线圈电镀的引导层；

衬底使用6英寸玻璃基板，通过溅射在衬底上沉积50nm厚的Cr层和120nm厚的Cu层。种子层通常是由两部分组成，第一层一般用Ti或者Cr，主要用来增强种子层与衬底之间的粘附力，第二层由Cu，Al或者Au构成。

溅射是等离子工艺。在溅射过程中，惰性气体离子【通常为氩（）】加速冲向靶材（阴极），从靶材中移出材料粒子。这些粒子构成蒸汽柱，凝结在衬底上。在微电子学和微机电系统中，溅射是金属化层淀积的主要方法[24]。溅射工艺主要包含四个阶段：1）通过引入气体的原子（Ar）与电子碰撞创造出离子，离子加速冲向靶材；

2）通过氩离子对靶材的撞击，移出靶原子； 

3）自由移动的靶原子传输到衬底；

4）靶原子在衬底上凝结[25]。

图2-10：加工工艺流程图

（2）甩正性光刻胶AZ4620厚度为20um，然后利用程控烘箱进行光刻胶的前烘；

AZ4620是美国Shipley公司生产的超厚膜，高对比度，高感光度正性光刻胶，广泛应用于微细加工行业，通常在G线光谱（436nm）范围内使用，具有分辨率高，深宽比大，低吸收系数等优点。正性光刻胶是指局域在曝光后，被曝光部分发生溶解的一类光刻胶，一般由三部分组成：基质树脂，有机溶剂，光敏成分。其中的的基质树脂作为良好的成模载体，具有良好的碱溶性。而光敏混合物PAC作为抑制剂能有效抑制其在显影液中的溶解，但是在曝光后吸收紫外线发生光化学反应，分解生成的产物又能够作为溶解促进剂，加快基质树脂在显影液中的溶解。

整个光刻加工流程包括：掩膜加工，基片处理，涂胶，前烘，曝光处理，后烘，显影，坚膜等一系列步骤。而在这些步骤中，每一项工艺条件都对图像转移质量，分辨率及后续工艺有重大影响[26]。

光刻胶与衬底之间粘附力的大小对光刻质量有极大的影响，而对粘附力影响最大的是衬底基片的润湿性。清洁，干燥的基片表面能和光刻胶保持良好的粘附性。在百级无尘车间内，将已经沉积了Cr和Cu的玻璃衬底，首先使用MOS级异丙醇（IPA）清洁衬底表面。通过使用Spin旋涂机来进行清洁，主要转速2000rpm，时间10s。将涂布IPA后的的衬底送入恒温烤箱进行软烤，软烤温度105℃，5min。来自~优尔、论文|网www.youerw.com +QQ752018766-

一般来说，光刻胶所含的高分子聚合物是疏水性的。对于亲水性的衬底来说，疏水性的光刻胶与亲水性的衬底表面粘附性不好。我们可以通过测量水在衬底上的接触角θ（如图2-11）来判断衬底表面与光刻胶的粘附性。在亲水性的衬底上水的接触角较小;在疏水性的衬底上水的接触角较大。在衬底上滴上一滴水，通过肉眼观察水滴的高度和铺张情况，可以定性地判断衬底表面的情况[27]。

图2-11：接触角示意图

将烘烤完毕的衬底，使用HMDS（六甲基二硅胺烷）作粘附性增强处理。通过使用自动涂胶机，将粘附剂动态旋涂到衬底表面，低速旋转将溶液均匀分布覆盖整个衬底表面，再用3000至6000rpm的转速保持20s至30s进行干燥处理。 UV-LIGA的MEMS磁阻传感器中非晶丝定位及其优化(5):http://www.youerw.com/cailiao/lunwen_105067.html