1.4.1 非金属元素掺杂

在半导体材料中掺杂F、C、S、N等非金属元素[8,9]，可以使半导体的光催化性能获得更好的光催化效果。这已经引起了越来越多人的注意与研究，并且得出了令人振奋的结果，这将是半导体光催化剂未来发展的重要方向。其中朱永法等人通过对Bi2WO6进行F掺杂，得到的半导体光催化剂与比未进行掺杂的纯Bi2WO6相比之下有着更好的光催化性能。张江[9]等人将C、S、N等非金属元素掺杂到Bi2WO6，也同样取得了令人满意的结果。

1.4.2 半导体复合

随着现代科学技术的迅速发展，传统的材料已经难以跟上时代的步伐，寻求更高性能的材料将会是大势所趋。与一些传统材料相比法复合材料有着价格便宜、易获取、性能良好等明显的优势。于是人们纷纷开始对复合材料进行了研究。半导体光催化材料更是得到了空前的发展，人们通过一些化学方法制备出了半导体纳米复合材料。并且在对其进行深入的研究探索发现，复合材料比原先的材料在性能上有着明显的提升。来`自^优尔论*文-网www.youerw.com

据报道许多铋系的半导体具有良好的催化性能[10]。Bi2WO6成为其中的热点之一[11-14]。因为Bi2WO6具有十分合适的价带和良好的性能的，所以人们对其作为光催化剂进行了深入的研究，并且认为是一种非常优秀的半导体光催化剂。但是由于铋系的半导体的禁带比较宽，所以光响应范围就比较窄只能对高频率的紫外光进行响应。这会大大的影响半导体光催化剂对太阳光的利用率以及转化效率，光催化性能也会大幅度的降低。如果能够对低频率的紫外光进行响应，半导体光催化剂的性能便可以得到大幅的提升，半导体光催化剂的应用也会变得更加普遍。因此，需要对半导体材料进行改性，从而提高其光催化的性能[15]。

本文通过水热的方法制备出了Bi2WO6纳米颗粒，其中主要的原材料为硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)和钨酸钠(Na2WO4·2H2O)，以及一些其它的辅助材料。并用碳量子点(CQDs)和之前制备出的Bi2WO6纳米颗粒为原料制备出CQDs的质量百分比分别1 wt %,3 wt % 5 wt %的碳量子点/Bi2WO6纳米半导体复合颗粒。通过光降解罗丹明-B（RhB）溶液，来表征碳量子点（CQDs）/Bi2WO6纳米复合材料的光催化降解效率，观察图像得出实验结论。并用透射电子显微镜和XRD衍射仪来观察其结构特性。