5。2耐高温

  耐高温的电子元件的重要性正在迅速增长。2008年大功率的总市场份额被期望在将近十亿美元。耐高温的电子元件在许多更复杂系统中增长的功能上起到一个杠杆作用。硅元素在半导体上温度限制在150℃并且制造常规限制在125℃。绝缘体硅的技术可以提高信号电平装置这个限制高于200℃，甚至有潜在可能上升到250℃。但是，这些技术在大功率元件上不可行。当这个问题面向功率半导体时，温度上升的极限就是硅元素。

  当耐高温行业很有必要的时候，碳化硅半导体元件可能是大功率等级上唯一可以接受的选项。因为，它们（不是碳化硅场效应晶体管）可以在超过400℃的情况下工作。这项能力作为是宽禁带材料最直接的结果。当温度在上升的时候，若干干扰元件工作的物理过程也在固定增长，就如设计者的意图。这些包括征载流子的增长，P-N结泄露的增长，热离子泄露的增长和载流子迁移的减少。一个宽禁带将在任何规定温度下使这些过程不那么激烈，所以耐更高温度对于寻常无法达到不可接受的水平是很有必要的。

  如今，对耐高温电子元件发展初步主动的申请包括了车辆、宇宙及航空，还有深井。来:自[优E尔L论W文W网www.youerw.com +QQ752018766-

5。3耐高压（高功率）

  更高的击穿电压是宽禁带材料的另一个意义，并且直接引导了许多更高击穿电压的元件。对于单一元件的查勘可以经受5000到40000伏的电压，这点在高功率系统中非常有吸引力。目前为止，要实现硅元素绝缘栅双极型晶体管需要多层次的转换器，或者堆叠或级联多个逆变器模块。一个简单的6设备逆变器在4160VAC（需要一个10000伏元件）高交换频率下工作会对该设备的尺寸、成本和可靠性产生严重的影响。

  在400到690伏范围内，一些碳化硅会减少传导过程中损失的发生，但是它却不会比硅的对口低太多。这个结果目前为止没有展现它该有的在减少传导损失的意义。但是，更高电压会带来一个明显的传导损失的减少，不管它用了何种设备，并且碳化硅让高电压变得可能。前提是，在690伏电压传导下的电能损失是巨大的但是与在4160伏下的损失比可能就微不足道了。