1。6。2电化学沉积法
相比于其它的石墨相氮化碳的制备方法，电化学沉积技术在一定程度上来说相对简单，它有着自己独有的优势，比如说制备过程所需要温度较低，相对来说耗能较。。因为有这些优点，在现实中电化学沉积法被广泛应用于制备g-C3N4薄膜。例如, Cao课题组使用三聚氰氯和三聚氰胺作为原料（2/3(摩尔比)），沉积液则选用乙腈的饱和溶液, 制得C/N摩尔比值为5/4的石墨相氮化碳（g-C3N4）晶体，这是人们首次从Si衬底上制得的材料。紧接着,他们又制取得到C/N摩尔比值达到1。23的晶体[[[] Li C, Cao C, ZhuH, et al。 Mater。 Sci。 Eng。 B 2004, 106: 308]]。这种晶体的结晶度很高，杂质含量也相对较低。他们仅仅通过改变原料组分配比就成功制得了这种晶体。最后, 他们将两种方法互相整合,进而成功地制备出了尺寸较小，而且结构较完整的颗粒g-C3N4。 CTAB调控溶剂热制备C3N4及光催化性能的研究(7):http://www.youerw.com/huaxue/lunwen_129817.html