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调制周期与调制比对含能复合半导体桥电爆特性的影响(4)

时间:2021-11-13 16:04来源:毕业论文
按照Al与MoO3薄膜发生铝热反应的化学反应式:2Al+MoO3=Al2O3+Mo在制备不同调制周期的Al/MoO3复合薄膜时,固定其调制比用于横向比较,即取Al和MoO3化学计量比为

按照Al与MoO3薄膜发生铝热反应的化学反应式:2Al+MoO3=Al2O3+Mo在制备不同调制周期的Al/MoO3复合薄膜时,固定其调制比用于横向比较,即取Al和MoO3化学计量比为1:1,取薄膜密度近似于靶材的密度,Al密度为2。7 g/cm3,MoO3的密度为4。692 g/cm3。计算得到Al和MoO3的调制比为2/3。制备总厚度为3 μm的Al/MoO3含能复合薄膜,根据靶材的沉积速度算出所需的镀膜时间。不同调制周期的Al/MoO3复合薄膜的各参数如表2。2所示。

表2。2 不同调制周期的Al/MoO3薄膜参数

调制周期/nm 周期数 Al膜单层厚度/nm MoO3膜单层厚度/nm

1500 2 600 900

500 6 200 300

150 20 60 90

50 60 20 30

   在制备调制比不同的Al/MoO3复合薄膜时,固定复合薄膜的总厚度为3 μm及调制周期为150 nm用于纵向比较,则需镀20个周期的Al-MoO3薄膜。Al和MoO3化学计量比分别为2:1,1:1和2:3,根据计算,不同调制比的Al/MoO3复合薄膜的各参数如表2。3所示。来*自~优|尔^论:文+网www.youerw.com +QQ752018766*

表2。3 不同调制比的Al/MoO3薄膜参数

化学计量比 调制比 Al膜单层厚度/nm MoO3膜单层厚度/nm

2 4:3 86 64

1 2:3 60 90

2/3 4:9 46 104

在制备Al/MoO3复合薄膜时,先将光刻胶滴在玻璃基片上用匀胶机进行匀胶,在120 ℃的条件下烘干两分钟,光刻胶起隔离薄膜和基片的作用,之后将匀胶后的玻璃基片放置到旋转基片台上并固定。通过磁控溅射将Al-MoO3-Al-MoO3……薄膜溅射到基片上。镀膜完成后,用丙酮溶解并清洗两次,将光刻胶洗净,50 ℃烘干丙酮得到单独的Al/MoO3复合薄膜。图2。2为镀膜前后的玻璃基片。

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