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底排弹综合参数测试系统设计+电路图+PCB图(3)

时间:2018-07-08 11:39来源:毕业论文
(1)5路模拟通道信号具体设计指标:底排弹膛内过载(底排弹飞行的X轴加速度、Y轴加速度、Z轴加速度)、底排弹弹底温度、压力5路模拟量的采集存储,过载


(1)5路模拟通道信号具体设计指标:底排弹膛内过载(底排弹飞行的X轴加速度、Y轴加速度、Z轴加速度)、底排弹弹底温度、压力5路模拟量的采集存储,过载采样率为100K,温度、压力采样频率1KHz;通道信号的采样精度为12位。
(2)采集精度和阻抗要求:
   采编器幅度采集精度:优于满量程的1%;
   采编器时标要求:5路模拟信号的时间轴一样;
   采编器定时精度:优于0.5%;
(3)其它相关的系统技术指标和要求:
    ①测试系统搭建完成后,能够保证所测试的数据的准确性和真实性;系统重复上电时,可以保证新的测试数据不被之前的测试数据所掩盖;断电后,能够较长时间保存之前测试的数据,便于日后的分析;
    ②工作电源要求:外部电池供电,电压9V士10%;
    ③电磁兼容能力:满足GJB151, GJB152规定的相关要求;
    ④输入信号的电压:5V、-5V、10V、3.3、REF3.3V
    ⑤输入端阻抗不小于1KΩ;
    ⑥记录时长120s:
    ⑦最大记录容量16M;
    ⑧持续10ms的10000g的正向过载,40-70g横向过载;
    ⑨工作环境温度:-40℃~50℃;
    ⑩通过串口实现数据传输;
2.1.2系统主控单元及相关接口
根据上述的技术指标及要求,本次设计采用STM32系列的STM32F103RCT6微控制器作为主要控制单元,芯片所需功率和成本较低,但功能多样,自身带有时钟功能还支持电源管理和复位功能。STM32还提供官方的函数库,在实际的功能编程中,无需用户在自行编码,可大大加快系统程序的设计和开发速度。并且该芯片也提供了非常多的外设模块,主要包括:(1)内核:
ARM 32位Cortex™-M3 CPU:最高工作频率72MHz,1.25DMIPS/MHz;单周期乘法和硬件除法。
(2)存储器:
     片上集成32到512K的Flash存储器;6到64K的SRAM存储器。
(3)时钟,复位和电源管理:
     2.0到3.6V的电源供电和I/O接口的驱动电压;
     POR,PDR和可编程的电压探测器(PVD);
     4到16MHz的晶振,内嵌出厂前调校的8MHz RC振荡电路;内部40KHz的RC振荡电路;
     用于CPU时钟的PLL;带校准用于RTC的32KHz的晶振。
(4)低功耗:
     三种低功耗模式:休眠,停止和待机模式;
     为RTC和备份寄存器供电的VBAT。
(5)2个12位的us级的A./D转换器(16通道):
     A/D测量范围:0到3.6V;双采样和保持能力;
     片上集成一个温度传感器。
(6)DMA:
     12通道DMA控制器;
     支持的外设:定时器,ADC,DAC,I2S,SPI,I2C和USART。
     最多高达112个的快速I/O端口;根据型号的不同,有26,37,51,80和112的I/O端口,所有的都可以映射到16个外部中断向量;
     除了模拟输入,所有的都可以接受5V以内的输入。
(7)调试模式:
     串行调试(SWD)和JTAG接口。
(8)多达11个定时器:
     4个16位定时器,每个定时器有4个IC/OC/PWM或者脉冲计数器;
     2个16位的6通道高级控制定时器:最多6个通道可用于PWM输出;
     2个看门狗定时器(独立看门狗和窗口看门狗);
     SysTick定时器:24位倒计数器;2个16位基本定时器,用于驱动DAC。 底排弹综合参数测试系统设计+电路图+PCB图(3):http://www.youerw.com/jixie/lunwen_19173.html
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